Çok katmanlı yarı iletken kristallerin elektronik yapılarının incelenmesi

Etkin- Kütle- teorisi yaklaştırması kullanılarak kendisiyle- çelişmeyen- alan yöntemine göre yapılan hesaplarda (Si/Ge) ve (InSe/GaSe) çok- katmanlı yarı-iletken malzemelerin elektronik enerji seviyeleri ve dalga fonksiyonları hesaplanmıştır. Bu değerler kullanılarak bu malzemelerin değerlik bandı ile iletkenlik bandında yer alan enerji seviyeleri arasındaki optik geçiş ihtimallerinin matris elemanları ile iletkenlik bandındaki enerji seviyeleri arasındaki geçişlerin enerji aralığına göre değişimlerinin matris elemanları hesaplanmıştır. Ayrıca (InSe/GaSe) malzemesinde elektronik enerji seviyeleri ile optik geçiş ihtimallerinin matris elemanları malzemenin katman sayılarına göre değişimleri incelenmiştir.