RF MEMS Tekonolojisi Kullanilarak Tasarlanmis Ayarlanabilir Bant Geçiren Baglanmis Hat Süzgeç

2006-09-06
İstanbulluoğlu, İpek
Topallı, Kaan
Temoçin, Engin Ufuk
Atasoy, Halil İbrahim
Ünlü, Mehmet
Bayraktar, Ömer
Demir, Şimşek
Aydın Çivi, Hatice Özlem
Koç, Seyit Sencer
Akın, Tayfun

Suggestions

RF MEMS Tekonolojisi ile Kapasitif ve Metal Metal Baglantili Paralel Anahtar Yapilari
Atasoy, Halil İbrahim; Topallı, Kaan; Ünlü, Mehmet; İstanbulluoğlu, İpek; Engin Ufuk, Temoçin; Ömer, Bayraktar; Demir, Şimşek; Aydın Çivi, Hatice Özlem; Koç, Seyit Sencer; Akın, Tayfun (null; 2006-09-06)
Bu çalışmada, RF MEMS teknolojisiyle üretilen iki adet paralel anahtar yapısı sunulmaktadır. Bunlardan birincisi endüktans uyumlamalı, kapasitif bağlantılı anahtar olup getirdiği yüksek aşağı durum kapasitansı ve endüktansı ile X-bant frekansları içerisinde yüksek yalıtım elde etmeye imkan vermektedir. İkinci tip MEMS anahtar ise metal-metal bağlantılı paralel anahtar olup sağladığı DC bağlantı hem düşük kayıplı anahtarlamaya izin vermekte, hem de köprülerin anahtarlama voltajlarının RF karakteristiği bozul...
Beam switching reflectarray with rf mems technology
Bayraktar, Ömer; Aydın Çivi, Hatice Özlem; Department of Electrical and Electronics Engineering (2007)
In this thesis 10x10 reconfigurable reflectarray is designed at 26.5 GHz where the change in the progressive phase shift between elements is obtained with RF MEMS switches in the transmission lines of unit elements composed of aperture coupled microstrip patch antenna (ACMPA). The reflectarray is illuminated by a horn antenna, and the reflected beam is designed to switch between broadside and 40° by considering the position of the horn antenna with respect to the reflectarray. In the design, the transmissio...
Design and fabrication of rf mems switches and instrumentation for performance evaluation
Atasoy, Halil İbrahim; Demir, Şimşek; Department of Electrical and Electronics Engineering (2007)
This thesis presents the RF and mechanical design of a metal-to-metal contact RF MEMS switch. Metal-to-metal contact RF MEMS switches are especially preferred in low frequency bands where capacitive switches suffer from isolation due to the limited reactance. Frequency band of operation of the designed switch is from DC to beyond X-band. Measured insertion loss of the structure is less than 0.2 dB, return loss is better than 30 dB, and isolation is better than 20 dB up to 20 GHz. Isolation is greater than 2...
RF MEMS teknolojisi ile mikroserit ve esduzlemsel dalga kilavuzu hat ustunde paralel anahtar yapilari
Topallı, Kaan; Ünlü, Mehmet; Demir, Şimşek; Aydın Çivi, Hatice Özlem; Koç, Seyit Sencer; Akın, Tayfun (null; 2005-09-08)
RF MEMS Teknolojisi ile Ayarlanabilir Empedans Uyumlama ve Güç Bölücü Devreleri
Ünlü, Mehmet; Sağkol, Hüseyin; Topallı, Kaan; Aydın Çivi, Hatice Özlem; Demir, Şimşek; Koç, Seyit Sencer; Akın, Tayfun (2002-09-18)
Bu çalışmada RF MEMS teknolojisi kullanılarak gerçekleştirilen ayarlanabilir empedans uyumlama ve güç bölücü devrelerinin tasarımı ve üretimi sunulmaktadır. Ayarlanabilir empedans uyumlama devresi üç kütüklü (triple stub) uyumlama teorisi üzerine tasarlanmıştır. Kütüklerin boylarını değiştirilebilmesi ve gerekli geçirileri ekleyebilmesi kütüklerin üzerine yerleştirilmiş MEMS anahtarlarla sağlanmaktadır. İki uyumlama devresi kullanılarak tasarlanan güç bölücü ise, ayarlanabilir olduğundan, giriş gücünü, herh...
Citation Formats
İ. İstanbulluoğlu et al., “RF MEMS Tekonolojisi Kullanilarak Tasarlanmis Ayarlanabilir Bant Geçiren Baglanmis Hat Süzgeç,” 2006, Accessed: 00, 2021. [Online]. Available: https://hdl.handle.net/11511/78332.