900 MHz bandında frekans bireştirici

Date

1977-03-15

Author

Oranç, Hakkı Ş.
Karadeniz, Mahmut

Metadata

Show full item record

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Item Usage Stats

58
views

0
downloads

Faz-Kilitleme-Halkası (Phase-Locked-Loop) ve değiştirilebilen oranda bölme yöntemi kullanılarak 850-950 MHz bandında çalışan ve frekansı 100 kHz lik adımlarla değiştirilebilen bir Prekans Bireştirici geliştirilmiştir. Bu frekansın seçilişinin nedeni de bu gün için Amerika Birleşik Devlet-lerinde bu bandın Gezici (Mobile) Haberleşmede kullanılmaya başlanması ve yakın gelecekte Türkiyede de bu bandın kulla-nılmasının beklenmesi olarak verilmektedir. Eaporda önce frekans bireştiriçiler hakkında genel bilgi verilmekte, cihazın tasarımı anlatılmakta ve kullanılan devreler kısaca açıklanmaktadır. Bundan sonra geliştirilen cihaz üzerinde yapılan ölçüler ve sonuçları açıklamaktadır. Son olarak da bulgular tartışılmakta ve önerilerde bulunul- maktadır.

URI

https://hdl.handle.net/11511/95559

Collections

Department of Electrical and Electronics Engineering, Project and Design

Suggestions

OpenMETU
Core

Fabrication and characterization of nbn Inas/Gasb/B-Al(x)ga(1-x)sb type-II superlattice detectors with dual-color detection in mwir Çekmez, Utku; Akın, Tayfun; Azgın, Kıvanç; Department of Micro and Nanotechnology (2022-4-28) Type-II superlattice detectors with nBn structure made it possible to detect at higher temperatures due to the suppressing of the dark current components originating from Shockley-Read-Hall (SRH). In this context, the Al(x)Ga(1-x)Sb layer with wider band-gap energy was designed to act as an electron barrier between the n-doped N-Structure InAs/AlSb/GaSb type-II superlattice layers, whose active layers are capable of dual-color detection at mid-wavelength. In this thesis work, the fabrication processes of th...
X-bant Radar Uygulamaları için GaN Tabanda Alıcı/Verici Tümleşik Devreleri Aydın Çivi, Hatice Özlem(2018) GaN teknolojisiyle, X-bant radar alıcı/verici devre modüllerinde kullanılabilecek güçyükselteci, düsük gürültülü yükselteç, tek kutup çift atım RF anahtar ve vektör modülatörgelistirilmistir. Tasarlanan devreler 0.25 ?m Power GaN/SiC HEMT üretim süreci ile WINSemiconductor firmasında üretilmistir. Güç yükseltecinde 25W üzeri güç çıkısı, düsükgürültülü yükselteçte 20dB'den fazla kazanç, 2dBnin altında gürültü figürü elde edilmistir.Anahtarın araya girme kaybı 0.8 dB, izolasyonu 50 dB'dir. Ölçüm sonuçları, ge...
Effect of porosity on the efficiency of DSSC produced by using nano size TiO2 powders Bilgin, Nursev; Park, Jongee; Öztürk, Abdullah (2014-01-01) Gözenekliliğin, 20 nm ve 200 nm TiO2 partiküllerinin farklı oranlarda karıştırılmasıyla oluşturulan pastalar kullanılarak hazırlanan boyaya duyarlı güneş pillerinin (DSSC'ler) enerji dönüşüm verimine etkisi araştırılmıştır. Macunların mikroyapısını incelemek için XRD ve SEM analizleri yapılmıştır. DSSC'lerin enerji dönüşüm verimliliği, tam akım yoğunluğu-voltaj eğrisi çizilerek belirlendi. Ağırlıkça% 40 20 nm ve ağırlıkça% 60 200 nm TiO2 partiküllerinden oluşan karışım kullanılarak hazırlanan DSSC,% 6.74'lü...
Radyasyon Basıncı ile Tahrik Edilen, Yüzeye Değmeden Atomik Kuvvet Mikroskopisi (yd-AKM) Oral, Ahmet; Zaman, Sameena Shah(2017-10-01) Bu projede radyasyon basıncı kullanılarak yayı titreştirerek yüzeye değmeden çalışan bir Atomik Kuvvet Mikroskobu(yd-AKM) Sistemi dünyada ilk olarak geliştirilmiş ve yüzeyde atomik çözünürlük dünyada ilk defa olmak üzere elde edilmiştir. Yayın sapmasını ölçen 1310nm dalgaboyundaki lazer'in akımı yayın rezonans frekansında modüle edilerek AKM yayına AC kuvvet, radyasyon basıncı sayesinde uygulanmaktadır. Aynı lazer yayın sapmasını da ölçecek şekilde çalışmaktadır. Ayrıca 1310nm ve 1550nm’de çalışan iki lazer...
RF MEMS teknolojisi ile S bandı tümleşik bant geçiren filtre yapısı Çetintepe, Çağrı; Demir, Şimşek; Akın, Tayfun (null; 2008-10-20) Bu çalışmada, bant-geçiren özelliğine sahip ve geçiş bandı S-frekans bandı (2-4 GHz) olarak belirlenmiş bir filtre yapısının RF MEMS teknolojisiyle oluşturulmuş toplu devre elemanları kullanılarak tasarlanması, üretimi ve ölçüm sonuçları sunulmaktadır. Elektromanyetik (EM) benzetim ve devre çözümleme araçlarıyla tasarımları yapılan mikroşerit yapıdaki sarmal irgiteç, paralel-plaka sığaç, parmaklı sığaç toplu bileşenlerini içeren ve edüzlemsel dalgakılavuzu (EDK) giriş-çıkışlarına uyarlanan filtre, ODTÜ MEMS...

Citation Formats

H. Ş. Oranç and M. Karadeniz, “900 MHz bandında frekans bireştirici,” 1977. Accessed: 00, 2022. [Online]. Available: https://hdl.handle.net/11511/95559.