AlGaN/GaN HEMT Aygıtların Isıl Performansında Radyasyonun Önemi

Date

2016-12-31

Author

Dönmezer Akgün, Fatma Nazlı
Kara, Doğacan
Azarifar, Mohammad
Gholivand, Hamed

Metadata

Show full item record

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Item Usage Stats

72
views

0
downloads

AlGaN/GaN HEMT aygıtlarının kullanım alanları gittikçe artmakta ve melez (ing. hybrid) otomotivlerden, askeri radar uygulamalarına kadar farklılık gösteren yüksek güç ve frekans uygulaması gerektiren uygulamalarda kullanılmaktadır. Bu aygıtların yüksek güç uygulamalarında kullanılması ve çok ince filmlerden oluşan yapısı nedeniyle ısınma problemleri gözlemlenmiştir. Isınma problemlerini daha iyi anlamak, aygıtların sıcaklıklarını azaltmak ve böylece daha iyi elektriksel performanslar elde etmek için ısıl benzetimler gereklidir ve araştırmacılar tarafından yapılmaktadır. Yapılan benzetimlerin doğruluğunu arttırmak üzere benzetimlerde mümkün olduğu kadar gerçek fiziksel koşullar yaratılmalıdır. Bu çalışma aygıtlarda yüksek ısının görüldüğü aktif alanlarda radyasyonla ısı iletiminin önemini araştırarak benzetimlerde dâhil edilmesine yöneliktir.

Subject Keywords

Isı ve Madde Transferi, Yarı İletken Malzeme ve Aygıtlar

URI

https://hdl.handle.net/11511/62004

Collections

Department of Mechanical Engineering, Project and Design

Suggestions

OpenMETU
Core

2-D Elmas Membranli Tedavi Amaçli Mikroüretilmis Kapasitif Ultrason Çevirgeç Dizilerinin Mikroüretimi Bayram, Barış(2013-12-31) Elmas, rakipsiz sertligi ve dayanikliligi, sürtünmeyle ilgili mükemmel performansi, ayarlanabilen ve dengeli yüzey kimyasi, yüksek termal iletkenligi ve düsük termal genlesmesi, içinde yayilan akustik dalgalarin hizinin yüksekligi, ve biyouyumlulugu ile mikroelektromekanik ve nanoteknoloji alanlarinda çigir açabilecek potansiyele sahiptir. Bu potansiyel mikroelektromekanik sistemler (MEMS) alaninda mikroüretilmis kapasitif ultrason çevirgeçler (CMUT) üzerinde üniversitemizde yürüttügümüz arastirmalarla açig...
Bakır Nanotel Esaslı Şeffaf ve İletken Elektrotların Üretimi ve Karakterizasyonu Ünalan, Hüsnü Emrah; Çırpan, Ali(2016-12-31) Bu projenin amacı bakır nanotel elektrot esaslı organik ışık yayan diyotların üretimi gerçekleştirmek ve özelliklerini incelemektir. Projede öncelikle bakır nanoteller çözelti esaslı yöntemle üretilecek, ince film şeklinde çeşitli altlıkların üzerine yoğunluğu kontrol ve tekrar edilebilir şekilde kaplanacak ve filmlerin optoelektronik özellikleri sistematik olarak incelenecektir. Daha sonra sözkonusu ince film elektrotları anot olarak kullanan organik ışık yayan diyotlar (OLEDler) üretilecektir. Projenin s...
Çoklu Exsiton Üretebilen ve Tekli Fisyona Duyarlı Hibrit Güneş Pili Geliştirilmesi Asil Alptekin, Demet(2017-12-31) Yenilenebilir enerji kaynakları alanlarında son yıllarda hızla artmakta olan çalışmalar umut vaat edici sonuçlar vermekte ve bu durum Avrupa ve Amerika gibi ülkelerin yanı sıra gelişmekte olan ülkeler için de büyük önem taşımaktadır. Kristal silikon teknolojisinin teorik limitine ulaşmasıyla birlikte gelecekte fosil yakıtlarına alternatif olarak gösterilen birincil enerji kaynağı olan güneş enerjisinden daha etkin bir biçimde faydalanmak amacıyla yeni nesil hibrit güneş pili teknolojileri geliştirilmektedir...
Pulların Moleküler Bağ Metoduyla Birleştirilmesi Metodunun Elmas MEMS Uygulamalarına Yönelik Geliştirilmesi Bayram, Barış(2015-12-31) Mikroelektromekanik uygulamalar için pulların birleştirilmesi metodu yenilikçi ürünlerin geliştirilmesi ve elmasa dayalı ürünler açısından önemlidir. Bu metodun gerçekleştirilmesi için pahalı ekipmanlara ihtiyaç duyulmaktadır. Bu ihtiyaç bu metodun yeterince uygulanmasını engellemektedir. Önerilen proje kapsamında kendi imkanlarımızla geliştireceğimiz bir sistem ve metodla bu moleküler bağ metodunun geliştirilmesi ve uygulanması planlamaktadır. Literatürde mevcut uygulamalarda genellikle Silisyum-Silisyum D...
SiC Güç Yarı İletkeni Tabanlı Şebekeye Bağlı Fotovoltaik Güç Kaynağı Geliştirme Projesi Ermiş, Muammer; Nalçacı, Gamze(2015-12-31) Bu projede ‘Silicon Carbide (SiC)’ yarı iletken teknolojisini kullanarak, Yüksek Frekans Transformatörlü DA/DA çevirgece dayalı maksimum güç noktası izleyicisi ve üç fazlı evirgeçten oluşan özgün bir fotovoltaik enerji dönüşüm sistemi tasarlanıp gerçekleştirilecektir. Si tabanlı IGBT yerine SiC MOSFET’e dayalı olarak geliştirilmesi planlanan sistemin enerji dönüşüm verimliliği eniyilenecek ve böylece uzun yıllar alan fotovoltaik panel ilk yatırım maliyetinin geri ödeme süresi en aza indirilmiş olacaktır. G...

Citation Formats

F. N. Dönmezer Akgün, D. Kara, M. Azarifar, and H. Gholivand, “AlGaN/GaN HEMT Aygıtların Isıl Performansında Radyasyonun Önemi,” 2016. Accessed: 00, 2020. [Online]. Available: https://hdl.handle.net/11511/62004.