Show/Hide Menu
Hide/Show Apps
anonymousUser
Logout
Türkçe
Türkçe
Search
Search
Login
Login
OpenMETU
OpenMETU
About
About
Açık Bilim Politikası
Açık Bilim Politikası
Frequently Asked Questions
Frequently Asked Questions
Browse
Browse
By Issue Date
By Issue Date
Authors
Authors
Titles
Titles
Subjects
Subjects
Communities & Collections
Communities & Collections
Zn(x)ln(1-X)te2 İnce Filmlerinin Üretilmesi Ve Aygıt Özelliklerinin Belirlenmesi
Date
2012-12-31
Author
Parlak, Mehmet
Metadata
Show full item record
This work is licensed under a
Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License
.
Item Usage Stats
0
views
0
downloads
EK 1 Zn(x)In(1-x)Te2 ince filmlerinin üretilmesi ve aygıt özelliklerinin belirlenmesi Projenin Amaç ve Tanımı : I–III–VI2 chalcopyrite yarı iletken ailesi fotovoltavik hücre, optelektronik ve lineer olmayan aygıt uygulamalarında dikkate değer bir önem kazanmıştır. Bu ailedeki bileşikler geniş bir yelpazede bant genişliğine, kafes sabitine ve heyecan verici optiksel ve elektriksel özelliklere sahiptir. Bakır, gümüş, indiyum, selen(yada sülfür ve telür) bileşikleri çoğunlukla “chalcopyrite” yapıda kristalleşirler. Bu yapısından ötürü farklı ve ilginç yapısal ve optiksel özelliklere sahiptirler. Özellikle optiksel özellikleri büyük ilgi uyandırıyor. Bu üçlü yarı iletken bileşiklerin, farklı katı çözeltiler oluşturularak ve çeşitli katkılarla düzenlenerek, gereksinim duyulan ihtiyaçları karşılayacak yeni alaşımlar meydana getirmesi mümkündür. Günümüze kadar yapılan çalışmalarda bu ailenin belirli bileşiklerinin optiksel, elektriksel ve yapısal özellikleri detaylandırılmış ve bunların bazı aygıt uygulamalarındaki davranışları belirlenmiştir. Bu bileşikler çoğunlukla “chalcopyrite” yapıda kristalleşirler, yapısal ve enerji bant özellikleri açısından In2Se3, CdSe, ZnSe gibi temel kübik kafes yapısına sahip ikili bileşiklerle benzerlikler gösterir. Yapı içerisindeki Ag ve In(yada Ga) gibi iki farklı katyonun yeniden kafes yapısında düzenlenmesiyle birim hücrenin(unit cell) z- ekseni boyutunda çiftleşmesine ve anyon un ise yapısal simetriyi kaybederek, bozunumuna sebep olmaktadır. Bu yapısından ötürü farklı yapısal ve optik özellik göstermektedirler. Üçlü yarıiletken bileşikler, görünür ve kızılötesi ışık yayan diyotlar, kızılötesi detektör, güneş pilleri ve buna benzer pek çok elektro-optik aygıtların teknolojik olarak üretilebilmesi konusunda son zamanlarda dikkatleri üzerine çekmeyi başarmışlardır. Özellikle, kararlı ve radyasyona dirençli katlıkristal ince film güneş pillerinin üretilmesi aşamasında, soğurucu katman olarak üçlü yarıiletken malzemelerin kullanılmasıyla birlikte oldukça yüksek güç dönüştürme verim değerlerine ulaşmak mümkün olmuştur. Bu çalışmada, öncelikle chalcopyrite ailesindeki CuInTe2, AgInTe2, CuInSe2, AgGaTe2 gibi bileşiklere nazaran daha az çalışılan ZnxIn1-xTe2 [1-7]bileşiği ince film olarak büyütülecektir. Büyütme özellikle farklı hedeflerle gerçekleştirilecek saçtırmalı kaplama tekniği ve diğer büyütme tekniklerinden yararlanılarak gerçekleştirilecektir. Sonrasında bu ince filmlerin elektriksel, optik ve yapısal analizleri gerçekleştirilecek ve bu ince filmlerin aygıt uygulamalarındaki davranışları çalışılacaktır.
URI
https://hdl.handle.net/11511/58756
Collections
Department of Physics, Project and Design