Zn(x)ln(1-X)te2 İnce Filmlerinin Üretilmesi Ve Aygıt Özelliklerinin Belirlenmesi

Date

2012-12-31

Author

Parlak, Mehmet

Metadata

Show full item record

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Item Usage Stats

0
views

0
downloads

EK 1 Zn(x)In(1-x)Te2 ince filmlerinin üretilmesi ve aygıt özelliklerinin belirlenmesi Projenin Amaç ve Tanımı : I–III–VI2 chalcopyrite yarı iletken ailesi fotovoltavik hücre, optelektronik ve lineer olmayan aygıt uygulamalarında dikkate değer bir önem kazanmıştır. Bu ailedeki bileşikler geniş bir yelpazede bant genişliğine, kafes sabitine ve heyecan verici optiksel ve elektriksel özelliklere sahiptir. Bakır, gümüş, indiyum, selen(yada sülfür ve telür) bileşikleri çoğunlukla “chalcopyrite” yapıda kristalleşirler. Bu yapısından ötürü farklı ve ilginç yapısal ve optiksel özelliklere sahiptirler. Özellikle optiksel özellikleri büyük ilgi uyandırıyor. Bu üçlü yarı iletken bileşiklerin, farklı katı çözeltiler oluşturularak ve çeşitli katkılarla düzenlenerek, gereksinim duyulan ihtiyaçları karşılayacak yeni alaşımlar meydana getirmesi mümkündür. Günümüze kadar yapılan çalışmalarda bu ailenin belirli bileşiklerinin optiksel, elektriksel ve yapısal özellikleri detaylandırılmış ve bunların bazı aygıt uygulamalarındaki davranışları belirlenmiştir. Bu bileşikler çoğunlukla “chalcopyrite” yapıda kristalleşirler, yapısal ve enerji bant özellikleri açısından In2Se3, CdSe, ZnSe gibi temel kübik kafes yapısına sahip ikili bileşiklerle benzerlikler gösterir. Yapı içerisindeki Ag ve In(yada Ga) gibi iki farklı katyonun yeniden kafes yapısında düzenlenmesiyle birim hücrenin(unit cell) z- ekseni boyutunda çiftleşmesine ve anyon un ise yapısal simetriyi kaybederek, bozunumuna sebep olmaktadır. Bu yapısından ötürü farklı yapısal ve optik özellik göstermektedirler. Üçlü yarıiletken bileşikler, görünür ve kızılötesi ışık yayan diyotlar, kızılötesi detektör, güneş pilleri ve buna benzer pek çok elektro-optik aygıtların teknolojik olarak üretilebilmesi konusunda son zamanlarda dikkatleri üzerine çekmeyi başarmışlardır. Özellikle, kararlı ve radyasyona dirençli katlıkristal ince film güneş pillerinin üretilmesi aşamasında, soğurucu katman olarak üçlü yarıiletken malzemelerin kullanılmasıyla birlikte oldukça yüksek güç dönüştürme verim değerlerine ulaşmak mümkün olmuştur. Bu çalışmada, öncelikle chalcopyrite ailesindeki CuInTe2, AgInTe2, CuInSe2, AgGaTe2 gibi bileşiklere nazaran daha az çalışılan ZnxIn1-xTe2 [1-7]bileşiği ince film olarak büyütülecektir. Büyütme özellikle farklı hedeflerle gerçekleştirilecek saçtırmalı kaplama tekniği ve diğer büyütme tekniklerinden yararlanılarak gerçekleştirilecektir. Sonrasında bu ince filmlerin elektriksel, optik ve yapısal analizleri gerçekleştirilecek ve bu ince filmlerin aygıt uygulamalarındaki davranışları çalışılacaktır.

URI

https://hdl.handle.net/11511/58756

Collections

Department of Physics, Project and Design