CuSn(S,Se yada Te)2 ve CuZn(Se,S)2 ince filmlerinin Isıl buharlaştırma ve saçtırmalı kaplama teknigiyle üretilmesi ve özelliklerinin belirlenmesi

2014-12-31
Parlak, Mehmet
Candan, İdris
Bayraklı, Özge
Erçelebi, Ayşe Çiğdem
Projenin Amaç ve Tanımı :İnce film amorf silisyum güneş pilllerinde verim %14’lar civarında iken son günlerde popüler olan Cu(In,Ga)(Se,S yada Te)2 (CIGS), CIT, CISe ince film bazlı güneş pillerinde maximum verim %20’lere ulaşmıştır. Fakat CIGS’de kullanılan In ve Ga gibi elementlerin maliyetinin yüksekliği ve doğada az bulunması gibi dezavantajları sebebiyle yeni güneş pilleri malzemeleri araştırılmaktadır. Özellikle ince film CuZnSnTe2 (CZST) ve Cu2ZnSn(Se,S)4 (CZTS)bazlı yeni nesil güneş pillerinin büyük potansiyele sahip olacagı düşünülmektedir. CZST direk bant aralıklı yarıiletken olup, soğurma katsayısı 104 cm-1 in üzerinde, yasak band aralığı ise 1.45-1.6 eV civarındadır. Bu değerler ideal güneş pili için gereken değerlere çok yakındır. Şimdiye kadar üzerinde çok çalışma yapılmamış olmasına karşın diğer ternary bileşikler için yapılan çalışmalar ve uygulanan üretim teknikleri göz önüne alındığında termal buharlaştırma ve saçtırma yöntemi ile üretilen CZTS ince film yapısının oluşturulması için uygun olacagı düşünülmektedir. Bu çalışmada Cu(Zn,Sn)(Se,S yadaTe)2 (CZTS, CZS, CTS) ince filmleri, Molubdenyum (Mo) ve indiyum kalay oksit (ITO) kaplı cam tabakalar üzerine büyütülecektir, Alt kontak özellikleri bakımından ternary bileşikler için Mo ve Ti oldukça uygun malzemelerdir. Literatürde verilen sonuçlara göre, Ti ve Mo üzerine büyütülen filmlerden yüksek verimli aygıtlar elde edilebilmektedir. DC ve RF maynetik saçtırma tekniği ile önce indium tin oxide (ITO), Ti

Suggestions

CuZnSnTe2 ince filmlerinin manyetik saçtırmalı kaplama tekniğiyle üretilmesi ve özelliklerinin belirlenmesi
Parlak, Mehmet; Erçelebi, Ayşe Çiğdem; Güllü, Hasan Hüseyin(2013-12-31)
Bu çalışmada CuZnSnTe2 (CZST) ince filmleri, molubdenyum (Mo) ve titanyum (Ti) arka kontak tabakası üzerine büyütülecektir, Alt kontak özellikleri bakımından CZTS için Mo ve Ti oldukça uygun malzemelerdir. Literatürde verilen sonuçlara göre, Ti üzerine büyütülen Cu(In,Ga)Se2 filmlerden yüksek verimli aygıtlar elde edilebilmektedir. Buna rağmen Ti arka kontaklar üzerine CZST filmlerin yapıldığı bir çalışma literatürde bulunmamaktadır. DC ve RF maynetik saçtırma tekniği ile önce indium tin oxide (ITO), Ti ve ...
Cu2ZnSn(S,Se)4 İnce Filmlerinin Fiziksel Buharlaştırma Tekniği ile Üretilmesi ve Özelliklerinin Belirlenmesi
Parlak, Mehmet; Erçelebi, Ayşe Çiğdem; Terlemezoğlu, Makbule(2017-12-31)
Bu çalışmada, Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) yapısına bağlı olarak selenyum-sulfur bileşiği Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe), bir önceki projede elde edilen üretim parametrelerine çerçevesinde ısısal buharlaştırma tekniği ile katmanlı bir şekilde cam alttaşlar üzerine ince film kaplama olarak üretilecektir. Üretim sonrasında elde edilen örnekler öncelikle herhangi bir üretim sonrası işlem görmeden (as-grown) incelenecek, yapısal, elektriksel, optiksel yapısal tamamlanacaktır. Bu karakterizasyon basamağı sonrasında, üretilen ...
ZnSnS2 ince filmlerinin Isısal buharlaştırma tekniği ile üretilmesi ve özelliklerinin belirlenmesi
Parlak, Mehmet; Erçelebi, Ayşe Çiğdem(2015-12-31)
Cu(In,Ga)(Se,S yada Te)2 (CIGS), CIT, CIS kalkopirit ince filmleri yüksek soğurma katsayıları ve uygun band yapılarından dolayi güneş pili uygulaması için uygun yarıiletken malzemelerdendir. Son yıllarda yapılan CIGS aygit çalışmalari, bu pillerin verimliliklerinin laboratuvar ölçeginde %20 seviyelerinde olduğunu göstermiştir[1-5]. Bu nedenden dolayı diğer ince film güneş pilleri arasında popüler olmaya başlamıştır. Bu filmlerin hetero eklem yapısı genelde ZnO:Al/ZnO/CdS/CI(G)S/Mo/cam şeklindedir [6]. Pil...
CeO2 yüzeylerinin yük yoğunluğu fonksiyoneli teorisi ile incelenmesi
Toffoli, Hande(2013-12-31)
Hibrid otomobil motorlarında kullanılmaya, karbonmonoksit ve bazıhidrokarbonların katalizi gibi birçok reaksiyona doğrudan ve dolaylı olarakkatılabilme özelliğiyle ve bununla beraber su-gaz geçişi reaksiyonunusağlamasıyla, Ceria (CeO2 ), aday gösterilmektedir. Teoride katalitikreaksiyonlar ilgili moleküllerin bağlanma enerjilerine bakılarak yoğunlukfonksiyoneli teorisi ile incelenebilmektedir. Ancak Ceria malzemesiiçerdiği cerium atomlarından dolayı sahip olduğu atomik f yörüngeleri,yapıdaki yerel değişimle...
Grup 4 Alaşımlarının Biriktirme-Sonrası Kristalizasyon Yöntemleri ile Cam Üzerinde Büyütülmesi
Turan, Raşit; Karaman, Mehmet(2016-12-31)
Bu projede silisyum-germanyum alaşımlı (Si1-xGex) ince filmlerinin cam üzerinde büyütülmesi ve sonrasında farklı yaklaşımlar kullanılarak kristalize edilmesi hedeflenmektedir. Polikristal Si1-xGex filmlerin kompozisyonel ve yapısal özelliklerini hassas bir sekilde kontrol edebilecek üretim tekniklerinin geliştirilmesinin başta ince film güneş gözesi araştırmaları olmak üzere, birçok yarı iletken odaklı teknolojiye katkı sağlaması beklenmektedir.Günümüzde Si1-xGex alaşımlarının potansiyel avantajları bilinme...
Citation Formats
M. Parlak, İ. Candan, Ö. Bayraklı, and A. Ç. Erçelebi, “CuSn(S,Se yada Te)2 ve CuZn(Se,S)2 ince filmlerinin Isıl buharlaştırma ve saçtırmalı kaplama teknigiyle üretilmesi ve özelliklerinin belirlenmesi,” 2014. Accessed: 00, 2020. [Online]. Available: https://hdl.handle.net/11511/58770.