Hide/Show Apps

CuSn(S,Se yada Te)2 ve CuZn(Se,S)2 ince filmlerinin Isıl buharlaştırma ve saçtırmalı kaplama teknigiyle üretilmesi ve özelliklerinin belirlenmesi

2014-12-31
Parlak, Mehmet
Güllü, Hasan Hüseyin
Candan, İdris
Bayraklı, Özge
Erçelebi, Ayşe Çiğdem
Projenin Amaç ve Tanımı :İnce film amorf silisyum güneş pilllerinde verim %14’lar civarında iken son günlerde popüler olan Cu(In,Ga)(Se,S yada Te)2 (CIGS), CIT, CISe ince film bazlı güneş pillerinde maximum verim %20’lere ulaşmıştır. Fakat CIGS’de kullanılan In ve Ga gibi elementlerin maliyetinin yüksekliği ve doğada az bulunması gibi dezavantajları sebebiyle yeni güneş pilleri malzemeleri araştırılmaktadır. Özellikle ince film CuZnSnTe2 (CZST) ve Cu2ZnSn(Se,S)4 (CZTS)bazlı yeni nesil güneş pillerinin büyük potansiyele sahip olacagı düşünülmektedir. CZST direk bant aralıklı yarıiletken olup, soğurma katsayısı 104 cm-1 in üzerinde, yasak band aralığı ise 1.45-1.6 eV civarındadır. Bu değerler ideal güneş pili için gereken değerlere çok yakındır. Şimdiye kadar üzerinde çok çalışma yapılmamış olmasına karşın diğer ternary bileşikler için yapılan çalışmalar ve uygulanan üretim teknikleri göz önüne alındığında termal buharlaştırma ve saçtırma yöntemi ile üretilen CZTS ince film yapısının oluşturulması için uygun olacagı düşünülmektedir. Bu çalışmada Cu(Zn,Sn)(Se,S yadaTe)2 (CZTS, CZS, CTS) ince filmleri, Molubdenyum (Mo) ve indiyum kalay oksit (ITO) kaplı cam tabakalar üzerine büyütülecektir, Alt kontak özellikleri bakımından ternary bileşikler için Mo ve Ti oldukça uygun malzemelerdir. Literatürde verilen sonuçlara göre, Ti ve Mo üzerine büyütülen filmlerden yüksek verimli aygıtlar elde edilebilmektedir. DC ve RF maynetik saçtırma tekniği ile önce indium tin oxide (ITO), Ti