CuZnSnTe2 ince filmlerinin manyetik saçtırmalı kaplama tekniğiyle üretilmesi ve özelliklerinin belirlenmesi

Date

2013-12-31

Author

Parlak, Mehmet
Erçelebi, Ayşe Çiğdem
Güllü, Hasan Hüseyin

Metadata

Show full item record

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Item Usage Stats

327
views

0
downloads

Bu çalışmada CuZnSnTe2 (CZST) ince filmleri, molubdenyum (Mo) ve titanyum (Ti) arka kontak tabakası üzerine büyütülecektir, Alt kontak özellikleri bakımından CZTS için Mo ve Ti oldukça uygun malzemelerdir. Literatürde verilen sonuçlara göre, Ti üzerine büyütülen Cu(In,Ga)Se2 filmlerden yüksek verimli aygıtlar elde edilebilmektedir. Buna rağmen Ti arka kontaklar üzerine CZST filmlerin yapıldığı bir çalışma literatürde bulunmamaktadır. DC ve RF maynetik saçtırma tekniği ile önce indium tin oxide (ITO), Ti ve Mo arka kontak kaplanmış cam alttaşlar üzerine üç farklı hedef Cu, ZnTe, SnTe kullanılarak CZST ince film büyütülmesi planlanmaktadır. Saçtırma sisteminde büyütülmüş olan CZST tabakasının uygun şartlarda tavlanarak ve gereklilik görüldügünde teleryum eskikliğinden dolayı yapıya ekstra telerizasyon işlemi uygulanacaktır. Elde edilen CZST film tabakası, çeşitli tekniklerle karakterize edilerek stokiyometrik ve oldukça kaliteli CZST film büyütme koşulları belirlenecektir. CZST yapısının oluşumu için gerekli optimum film büyütme parametreleri ve telerizasyon sıcaklıkları bulunacak, bu filmlerde ikincil fazların oluşmamasına çalışılacaktır. Aynı zamanda ITO, Ti ve Mo ile CZST ile oluşturulacak sandwiç katmanlı diyot aygıt yapısının elektriksel ve sıcaklık bağımlı I-V karakteristikleri incelenerek aygıt özellikleri ve film özellikleri karakterize edilmeye çalışılacaktır. Ayrıca üretilen CZST filmlerin detaylı yapısal ve elektriksel karakterizasyonları yapılacaktır.

Subject Keywords

Yüzeyler, Arayüzler, İnce Filimler ve Telimsiler (Whiskers), Optik Özellikler, Spektroskopi, Maddenin Parçacıklarla Etkileşmesi

URI

https://hdl.handle.net/11511/58763

Collections

Department of Physics, Project and Design

Suggestions

OpenMETU
Core

Cu2ZnSn(S,Se)4 İnce Filmlerinin Fiziksel Buharlaştırma Tekniği ile Üretilmesi ve Özelliklerinin Belirlenmesi Parlak, Mehmet; Erçelebi, Ayşe Çiğdem; Terlemezoğlu, Makbule(2017-12-31) Bu çalışmada, Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) yapısına bağlı olarak selenyum-sulfur bileşiği Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe), bir önceki projede elde edilen üretim parametrelerine çerçevesinde ısısal buharlaştırma tekniği ile katmanlı bir şekilde cam alttaşlar üzerine ince film kaplama olarak üretilecektir. Üretim sonrasında elde edilen örnekler öncelikle herhangi bir üretim sonrası işlem görmeden (as-grown) incelenecek, yapısal, elektriksel, optiksel yapısal tamamlanacaktır. Bu karakterizasyon basamağı sonrasında, üretilen ...
CuSn(S,Se yada Te)2 ve CuZn(Se,S)2 ince filmlerinin Isıl buharlaştırma ve saçtırmalı kaplama teknigiyle üretilmesi ve özelliklerinin belirlenmesi Parlak, Mehmet; Candan, İdris; Bayraklı, Özge; Erçelebi, Ayşe Çiğdem(2014-12-31) Projenin Amaç ve Tanımı :İnce film amorf silisyum güneş pilllerinde verim %14’lar civarında iken son günlerde popüler olan Cu(In,Ga)(Se,S yada Te)2 (CIGS), CIT, CISe ince film bazlı güneş pillerinde maximum verim %20’lere ulaşmıştır. Fakat CIGS’de kullanılan In ve Ga gibi elementlerin maliyetinin yüksekliği ve doğada az bulunması gibi dezavantajları sebebiyle yeni güneş pilleri malzemeleri araştırılmaktadır. Özellikle ince film CuZnSnTe2 (CZST) ve Cu2ZnSn(Se,S)4 (CZTS)bazlı yeni nesil güneş pillerinin büy...
ZnSnS2 ince filmlerinin Isısal buharlaştırma tekniği ile üretilmesi ve özelliklerinin belirlenmesi Parlak, Mehmet; Erçelebi, Ayşe Çiğdem(2015-12-31) Cu(In,Ga)(Se,S yada Te)2 (CIGS), CIT, CIS kalkopirit ince filmleri yüksek soğurma katsayıları ve uygun band yapılarından dolayi güneş pili uygulaması için uygun yarıiletken malzemelerdendir. Son yıllarda yapılan CIGS aygit çalışmalari, bu pillerin verimliliklerinin laboratuvar ölçeginde %20 seviyelerinde olduğunu göstermiştir[1-5]. Bu nedenden dolayı diğer ince film güneş pilleri arasında popüler olmaya başlamıştır. Bu filmlerin hetero eklem yapısı genelde ZnO:Al/ZnO/CdS/CI(G)S/Mo/cam şeklindedir [6]. Pil...
Alternatif soğurucu katman olarak SnSexTe(1-x) ince film yapısının üretimi ve özelliklerinin araştırılması Parlak, Mehmet; Erçelebi, Ayşe Çiğdem; Terlemezoğlu, Makbule(2018-12-31) Bu çalışmada, SnSexTe(1-x) ince film yapısı cam altaşlar üzerine Sn, Se ve Te elementel kaynaklar kullanılarak belli bir sıra ile ısısal buharlaştırılarak katmanlı şekilde büyütülecektir. Bu üretim parametreleri, üçlü yapının ikili bileşenleri olarak SnSe ve SnTe ince filmlerinin üretimlerinin optimizasyonu ve fiziksel özelliklerinin incelenmesi ile belirlenecektir. Öncelikle, oda sıcaklığında üretimi yapılacak olan SnSexTe(1-x) ince filminin, X-ışınları difraksiyonu (XRD) ile kristal yapı özellikleri ve y...
Cu2ZnSnSe4 İnce Filmlerinin Fiziksel Buharlaştırma Tekniği ile Üretilmesi ve Özelliklerinin Belirlenmesi Parlak, Mehmet; Erçelebi, Ayşe Çiğdem; Terlemezoğlu, Makbule(2016-12-31) Hızla büyüyen enerji ihtiyacı çağımızın çözülmesi gereken en büyük problemlerindedir. Son yıllarda, yenilenebilir enerji kaynakları içerisinde fotovoltaik teknolojisi hızla gelişen, ülkelerin gelecekteki enerji politikalarında yer verdikleri ve büyük yatırımlar yaptıkları bir alandır. Günümüzde, silikon tabanlı güneş gözeleri dünya fotovoltaik pazarının yaklaşık % 85’ini teşkil ederken[1], ince film kalkojenit tabanlı güneş gözeleri de bu pazardaki yerini almaya başlamıştır. Bu fotovoltaik yapılar, silikon...

Citation Formats

M. Parlak, A. Ç. Erçelebi, and H. H. Güllü, “CuZnSnTe2 ince filmlerinin manyetik saçtırmalı kaplama tekniğiyle üretilmesi ve özelliklerinin belirlenmesi,” 2013. Accessed: 00, 2020. [Online]. Available: https://hdl.handle.net/11511/58763.