ZnSnS2 ince filmlerinin Isısal buharlaştırma tekniği ile üretilmesi ve özelliklerinin belirlenmesi

Date

2015-12-31

Author

Parlak, Mehmet
Erçelebi, Ayşe Çiğdem

Metadata

Show full item record

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Item Usage Stats

232
views

0
downloads

Cu(In,Ga)(Se,S yada Te)2 (CIGS), CIT, CIS kalkopirit ince filmleri yüksek soğurma katsayıları ve uygun band yapılarından dolayi güneş pili uygulaması için uygun yarıiletken malzemelerdendir. Son yıllarda yapılan CIGS aygit çalışmalari, bu pillerin verimliliklerinin laboratuvar ölçeginde %20 seviyelerinde olduğunu göstermiştir[1-5]. Bu nedenden dolayı diğer ince film güneş pilleri arasında popüler olmaya başlamıştır. Bu filmlerin hetero eklem yapısı genelde ZnO:Al/ZnO/CdS/CI(G)S/Mo/cam şeklindedir [6]. Pil yapısı için CdS toksik ve zararlı bir malzeme olmasına ragmen pencere katman olarak genellikle kimyasal yöntemlerle büyütülmektedir. Bu da son yıllarda araştırmacıları CdS ‘a göre daha çok çevre dostu olan ZnS, ZnSe gibi malzemeleri alternatif bir buffer katman olarak çalışmaya yönlendirmiştir. Diğer taraftan ve CIS ve CI(G)S yapısına alternatif olabilecek maliyeti daha uygun olan, CuZnInS2 ve (ZnSnS) yapısının araştırılması birçok araştırma gurubu tarafından gerçekleştirilmektedir. ZTS kalkopirit, yasak enerji band aralığı oda sıcaklığında 1.82 eV olan n tipi bir yarı iletkendir . Bu yapı şimdiye kadar ısıl buharlaştırma, kimyasal banyo yöntemi ve Bridgman metodu ile elde edilmiş ve film özellikleri çalışılmıştır [7-9]. Fakat CI(G)S’de hem de ZIS’da kullanılan In ve Ga gibi elementlerin maliyetinin yüksekliği ve doğada az bulunması gibi dezavantajları sebebiyle yeni uygun malzemeler araştırılmaktadır. Özellikle ince film CuZnSnTe2 (CZST) ve Cu2ZnSn(Se,S)4 (CZTS

Subject Keywords

Yüzeyler, Arayüzler, İnce Filimler ve Telimsiler (Whiskers), Optik Özellikler, Spektroskopi, Maddenin Parçacıklarla Etkileşmesi

URI

https://hdl.handle.net/11511/58772

Collections

Department of Physics, Project and Design

Suggestions

OpenMETU
Core

CuZnSnTe2 ince filmlerinin manyetik saçtırmalı kaplama tekniğiyle üretilmesi ve özelliklerinin belirlenmesi Parlak, Mehmet; Erçelebi, Ayşe Çiğdem; Güllü, Hasan Hüseyin(2013-12-31) Bu çalışmada CuZnSnTe2 (CZST) ince filmleri, molubdenyum (Mo) ve titanyum (Ti) arka kontak tabakası üzerine büyütülecektir, Alt kontak özellikleri bakımından CZTS için Mo ve Ti oldukça uygun malzemelerdir. Literatürde verilen sonuçlara göre, Ti üzerine büyütülen Cu(In,Ga)Se2 filmlerden yüksek verimli aygıtlar elde edilebilmektedir. Buna rağmen Ti arka kontaklar üzerine CZST filmlerin yapıldığı bir çalışma literatürde bulunmamaktadır. DC ve RF maynetik saçtırma tekniği ile önce indium tin oxide (ITO), Ti ve ...
Cu2ZnSn(S,Se)4 İnce Filmlerinin Fiziksel Buharlaştırma Tekniği ile Üretilmesi ve Özelliklerinin Belirlenmesi Parlak, Mehmet; Erçelebi, Ayşe Çiğdem; Terlemezoğlu, Makbule(2017-12-31) Bu çalışmada, Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) yapısına bağlı olarak selenyum-sulfur bileşiği Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe), bir önceki projede elde edilen üretim parametrelerine çerçevesinde ısısal buharlaştırma tekniği ile katmanlı bir şekilde cam alttaşlar üzerine ince film kaplama olarak üretilecektir. Üretim sonrasında elde edilen örnekler öncelikle herhangi bir üretim sonrası işlem görmeden (as-grown) incelenecek, yapısal, elektriksel, optiksel yapısal tamamlanacaktır. Bu karakterizasyon basamağı sonrasında, üretilen ...
Alternatif soğurucu katman olarak SnSexTe(1-x) ince film yapısının üretimi ve özelliklerinin araştırılması Parlak, Mehmet; Erçelebi, Ayşe Çiğdem; Terlemezoğlu, Makbule(2018-12-31) Bu çalışmada, SnSexTe(1-x) ince film yapısı cam altaşlar üzerine Sn, Se ve Te elementel kaynaklar kullanılarak belli bir sıra ile ısısal buharlaştırılarak katmanlı şekilde büyütülecektir. Bu üretim parametreleri, üçlü yapının ikili bileşenleri olarak SnSe ve SnTe ince filmlerinin üretimlerinin optimizasyonu ve fiziksel özelliklerinin incelenmesi ile belirlenecektir. Öncelikle, oda sıcaklığında üretimi yapılacak olan SnSexTe(1-x) ince filminin, X-ışınları difraksiyonu (XRD) ile kristal yapı özellikleri ve y...
CuSn(S,Se yada Te)2 ve CuZn(Se,S)2 ince filmlerinin Isıl buharlaştırma ve saçtırmalı kaplama teknigiyle üretilmesi ve özelliklerinin belirlenmesi Parlak, Mehmet; Candan, İdris; Bayraklı, Özge; Erçelebi, Ayşe Çiğdem(2014-12-31) Projenin Amaç ve Tanımı :İnce film amorf silisyum güneş pilllerinde verim %14’lar civarında iken son günlerde popüler olan Cu(In,Ga)(Se,S yada Te)2 (CIGS), CIT, CISe ince film bazlı güneş pillerinde maximum verim %20’lere ulaşmıştır. Fakat CIGS’de kullanılan In ve Ga gibi elementlerin maliyetinin yüksekliği ve doğada az bulunması gibi dezavantajları sebebiyle yeni güneş pilleri malzemeleri araştırılmaktadır. Özellikle ince film CuZnSnTe2 (CZST) ve Cu2ZnSn(Se,S)4 (CZTS)bazlı yeni nesil güneş pillerinin büy...
Femtosaniye kızılötesi lazerle silisyum pul içi gömülü kırınım yapılarının 5 mikrometre altı çözünürlükle doğrudan yazılması Bek, Alpan; Öztürk, İbrahim Murat; Idikut, Firat(2018-12-31) Projenin amacı, bizim keşfettiğimiz ve dünyada ilk kez silisyumun (Si) yüzey-altında ve 3 boyutlu olarak işlenmesine olanak sağlayan bir tekniği geliştirerek gömülü kırınımsal optik elemanların üretimi için sisteme yüksek çözünürlük kazandırmaktır. Bu teknikte kristal Si’un içinde kristal yapısı bozulmuş Si yapılar, Si’un geçirgen olduğu 1,5 μm dalgaboyunda çalışan kısa (femtosaniye) lazer atımlarının Si içinde doğrusal olmayan bir geri besleme mekanizmasıyla kendiliğinden oluşmaktadır. Yapıların...

Citation Formats

M. Parlak and A. Ç. Erçelebi, “ZnSnS2 ince filmlerinin Isısal buharlaştırma tekniği ile üretilmesi ve özelliklerinin belirlenmesi,” 2015. Accessed: 00, 2020. [Online]. Available: https://hdl.handle.net/11511/58772.