Department of Metallurgical and Materials Engineering, Patent / Utility Model

Browse
Search within this collection:

Filters

Entity Type
Patent (5)

Has File(s)
No (5)

Author
İmer, Muhsine Bilge (2)
ARÇELİK ANONİM ŞİRKETİ (1)
Coşkun, Şahin (1)
Denbaars , Steven P. (1)
Denbaars, Steven (1)

Subject

Date Issued
2006 - 2009 (1)
2010 - 2017 (4)

Recent Submissions

METAL NANOTEL KAPLAMALI ISITILABİLİR KUMAŞ
Ünalan, Hüsnü Emrah; Doğanay, Doğa; Coşkun, Şahin (Türk Patent Enstitüsü, 2017-12-21)
Başvuru konusu buluş; kumaşların nefes almasına izin veren, esnekliğini bozmayan ve kullanım alanlarını kısıtlamayan gümüş nanotellerle daldırmalı kaplama yöntemiyle kumaşlar üzerinde üç boyutlu bir kaplama elde edilmesi v...
ENERJİ GEREKSİNİMİ AZALTILAN BİR KÜÇÜK EV ALETİ
ARÇELİK ANONİM ŞİRKETİ (Türk Patent Enstitüsü, 2016)
Bu buluş, bir gövde (2), gövde (2) üzerinde yer alan elektrik enerjisini ısı enerjisine dönüştüren bir ısıtma elemanı (3) içeren enerji gereksinimi azaltılan kablosuz ve bataryalı kullanılabilen bir küçük ev aleti (1) ile ...
Elektrodeoksidasyon ve erimiş tuz elektrolizi metotlarının intermetalik ve/veya alaşım üretmek için birleştirilmesi
Karakaya, İshak; Erden, Fuat; Erdoğan, Metehan (2014-1-14)
Bu buluş, erimiş tuz elektrolizi ve elektrodeoksidasyon tekniklerini birleştirerek, intermetalik (metaller arası) bileşik ve/veya alaşım oluşturmayla ilgilidir. Daha özelde; intermetalik ve/veya alaşımın en az bir bileşeni...
Defect reduction of non-polar and semi-polar III-Nitrides with sidewall lateral epitaxial overgrowth (SLEO)
İmer, Muhsine Bilge; Denbaars, Steven; Speck , James (Korean Intellectual Property Office, 2012-6-07)
A method of reducing threading dislocation densities in non-polar such as a-{11-20} plane and m-{1-100} plane or semi-polar such as {10-1n} plane III-Nitrides by employing lateral epitaxial overgrowth from sidewalls of etc...
Growth of planar non-polar {1 -1 0 0} m-plane gallium nitride with metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)
İmer, Muhsine Bilge; Speck , James S.; Denbaars , Steven P. (United States Patent and Trademark Office, 2006-5-31)
A method of growing planar non-polar m-plane III-Nitride material, such as an m-plane gallium nitride (GaN) epitaxial layer, wherein the III-Nitride material is grown on a suitable substrate, such as an m-plane silicon car...
Citation Formats