Hide/Show Apps

Yüksek anisotropiye sahip ikili ve üçiü yarıiletkenlerin fiziksel özellikleri

Download
1997
Allakhverdıev, Kerim
G., Bülent Akınoğlu
Ellialtıoğlu, Şinasi
Gasanlı, Nizami
Erçelebi, Ayşe Çiğdem
Bu proje başta GaSe ve InSe olmak üzere katmanlı yarıiletkenlerin Bridgman yöntemi ile büyütülmesi ve karekterizasyonu amacını taşımaktadır. Bu yarıiletkenler Ga, in, Tl, S ve Se gibi elemental maddeler kullanılarak büyütülmektedir. Bu proje kapsamında elde edilen sonuçlar literatüre uygunluk göstermektedir. Kristal karakterizasyonıı için x-ışını kırınımı, elektron mikroskopu, optik soğurma spektrometresi, Raman saçılma spektrometresi ve fotolüminesans gibi teknikler kullanılmıştır. GaSe ve InSe'ın genellikle e-politipinde kristalleştiği gözlenmiştir (uzay grubu $D3_{3h}^1$ olup temel birim hücresi iki katmana sahiptir). Bu kristallerde yapılan yapısal incelemeler sonucunda ferroelektrik faz geçişlerinin temel birim hücre büyüklüğü ile bağıntılı olduğu gözlenmiştir. 60 K sıcaklığında TlInS2'deki yapısal değişmenin, 2.31 eV'de yeni geniş bir bant oluşturduğu gözlenmiştir. $TIIn_xGa_{1-x}S_2$ (x=0.95; 0.8) karışımında InS4 komplekslerinin yerini GaS4 in alması, (x=l için) 220 K'deki faz geçişini x=0.95 için 170 K'ye indirmiştir. 110-320 ve 10-320°C bölgelerinde yapılan Hail ölçümleri ve iletkenlik ölçümleri sonucunda, InSe ince filmlerinde 200 K. civarında transport mekanizmasının temel olarak termionik ışıma olduğu ortaya çıkmıştır. 75 K altındaki akım transportunun ise yerel sevyelerdeki elektron sıçramaları yolu ile olduğu gözlenmiştir. Ara sıcaklıklarda ise hem termionik ışıma hem de ısı-bağımlı tünelleme iletkenliğine katkıda bulunan temel transport mekanizmaları olarak belirlenmiştir.