İnce film metalik iletişim bağlarında oluşan elektrogöç güdümündeki iç makro boşlukların ve yüzey tane oluklarının hidroastatik ve çift akslı gerilimler altındaki dinamiklerinin matematik modellemesi ve bilgisayar benzetimi

Development of hybrid photonic and plasmonic light management interfaces for thin film semiconductor devices Nasser, Hisham; Turan, Raşit; Özenbaş, Ahmet Macit; Department of Micro and Nanotechnology (2015) Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) is a versatile and an attractive material of photovoltaics whose manufacturing has reached an immense and advanced level of maturity. Owing to its moderate conversion efficiency compared to its crystalline counterparts, it should target either power plants with miniature installation cost or applications with added value like building-integration. Since this photovoltaic technology is based on very thin films of a weakly light-absorbing material, light-management is, ...
İnce Film Silisyum Güneş Gözelerinin Tasarımı ve Kimyasal Aşındırma İle Elde Edilmiş Silisyum Pulları Üzerine Üretilmesi Yerci, Selçuk(2015-12-31) Silisyum (Si) güneş gözeleri fotovoltaik endüstrisinin yüzde doksanından fazlasına hâkimdir. Silisyumun bu başarısının arkasında yüksek kaliteye sahip silisyum tek kristalinin uygun maliyetle üretilebilmesi, silisyumun ideale yakın bant aralığının olması ve Si p-n ekleminin kolaylıkla üretilebilmesidir. Bunların yanı sıra silisyumun ışık soğurma katsayısının küçük olması ve dolayısıyla Si güneş gözelerinin göreceli olarak kalın olması ise silisyumun en önemli zaafıdır. Kullanılan kalın malzeme (~200 um), Si...
Modeling and optimization of PECVD processes and equipment used for manufacturing thin film photovoltaic devices Özkol, Engin; Kıncal, Serkan; Department of Chemical Engineering (2014) Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is a common technique used in thin film based device fabrication. Operation conditions of a PECVD reactor need to be optimized in terms of deposition conditions as well as plasma cleaning procedures to deliver desired deposited material qualities. In addition, interactions with external support systems such as gas lines and cabinet, compressors and utility production units need to be understood and characterized. Modeling, whether based on fundamental princi...
İnce Film Silisyum Güneş Hücrelerinde Işık Yönetimi Yerci, Selçuk (null; 2017-04-21) Günümüz fotovoltaikteknolojisinde kullanılan yüksek verimliliğe sahip tek kristal silisyum (k-Si) güneş hücrelerinin kalınlığı yaklaşık 180 mikrondur ve Si pulunun maliyeti güneş modülün toplam maliyetinin yaklaşık olarak üçte birine tekabül etmektedir. Gelecekte Si pul kesme teknolojisi kullanılarak 120 mikron kalınlığında Si pullarının üretileceğini öngörülmektedir. Ancak Si kalınlığındaki bu sınırlı azalmanın maliyet/verimlilik oranına etkisi de çok sınırlı ka...
İnce film kristal silisyum heteroeklem üretimi Bek, Alpan; Idikut, Firat; Birant, Gizem(2017-12-31) Amorf silisyum (a-Si) n-tipi katkılı ince filmlerin plazma yardımlı kimyasal buhar biriktirme (PECVD) ve elektron demet buharlaştırma (e-beam) yöntemleri kullanılarak p tipi kristal Si (c-Si) üzerine kaplanmasıyla heteroeklem üretilebilmektedir. Bu üretim metodu GÜNAM laboratuvarında çalışılmakta ve optimizasyonu hali hazırda yapılmaktadır. Bu projede ise amacımız p tipi c-Si üzerine PECVD ya da e-beam ile kaplanan n-tipi a-Si filme yüksek yoğunlukta ışık atımları göndererek soğurma sağlamak, böylece amorf ...

Citation Formats

Ö. T. Oğurtanı, A. Kalkanlı, and E. E. Ören, “İnce film metalik iletişim bağlarında oluşan elektrogöç güdümündeki iç makro boşlukların ve yüzey tane oluklarının hidroastatik ve çift akslı gerilimler altındaki dinamiklerinin matematik modellemesi ve bilgisayar benzetimi,” 2009. Accessed: 00, 2020. [Online]. Available: https://app.trdizin.gov.tr/publication/project/detail/TVRBeE1EQXc.