İnce film kristal silisyum heteroeklem üretimi

Date

2017-12-31

Author

Bek, Alpan
Idikut, Firat
Birant, Gizem

Metadata

Show full item record

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Item Usage Stats

466
views

0
downloads

Amorf silisyum (a-Si) n-tipi katkılı ince filmlerin plazma yardımlı kimyasal buhar biriktirme (PECVD) ve elektron demet buharlaştırma (e-beam) yöntemleri kullanılarak p tipi kristal Si (c-Si) üzerine kaplanmasıyla heteroeklem üretilebilmektedir. Bu üretim metodu GÜNAM laboratuvarında çalışılmakta ve optimizasyonu hali hazırda yapılmaktadır. Bu projede ise amacımız p tipi c-Si üzerine PECVD ya da e-beam ile kaplanan n-tipi a-Si filme yüksek yoğunlukta ışık atımları göndererek soğurma sağlamak, böylece amorf tabakanın lokal olarak sıcaklığını arttırarak sıvı faza geçirmek ve soğumasını ile kristalize olmasını sağlamaktır. Böylece malzeme iletkenlik ve termal özelliklerini iyileştirerek daha etkin çevirim yapabilecek güneş göze üretimi yapma olanağı sağlayacak heteroeklem yapı oluşabilecektir.

Subject Keywords

Optik Özellikler, Spektroskopi, Maddenin Parçacıklarla Etkileşmesi, Yüzeyler, Arayüzler, İnce Filimler ve Telimsiler (Whiskers), Özel Aygıtlar ve Genel Kullanım Teknikleri, Malzeme Bilimi, Enerji ve Çevre

URI

https://hdl.handle.net/11511/62112

Collections

Center for Solar Energy Research and Applications (GÜNAM), Project and Design

Suggestions

OpenMETU
Core

CuZnSnTe2 ince filmlerinin manyetik saçtırmalı kaplama tekniğiyle üretilmesi ve özelliklerinin belirlenmesi Parlak, Mehmet; Erçelebi, Ayşe Çiğdem; Güllü, Hasan Hüseyin(2013-12-31) Bu çalışmada CuZnSnTe2 (CZST) ince filmleri, molubdenyum (Mo) ve titanyum (Ti) arka kontak tabakası üzerine büyütülecektir, Alt kontak özellikleri bakımından CZTS için Mo ve Ti oldukça uygun malzemelerdir. Literatürde verilen sonuçlara göre, Ti üzerine büyütülen Cu(In,Ga)Se2 filmlerden yüksek verimli aygıtlar elde edilebilmektedir. Buna rağmen Ti arka kontaklar üzerine CZST filmlerin yapıldığı bir çalışma literatürde bulunmamaktadır. DC ve RF maynetik saçtırma tekniği ile önce indium tin oxide (ITO), Ti ve ...
ZnSnS2 ince filmlerinin Isısal buharlaştırma tekniği ile üretilmesi ve özelliklerinin belirlenmesi Parlak, Mehmet; Erçelebi, Ayşe Çiğdem(2015-12-31) Cu(In,Ga)(Se,S yada Te)2 (CIGS), CIT, CIS kalkopirit ince filmleri yüksek soğurma katsayıları ve uygun band yapılarından dolayi güneş pili uygulaması için uygun yarıiletken malzemelerdendir. Son yıllarda yapılan CIGS aygit çalışmalari, bu pillerin verimliliklerinin laboratuvar ölçeginde %20 seviyelerinde olduğunu göstermiştir[1-5]. Bu nedenden dolayı diğer ince film güneş pilleri arasında popüler olmaya başlamıştır. Bu filmlerin hetero eklem yapısı genelde ZnO:Al/ZnO/CdS/CI(G)S/Mo/cam şeklindedir [6]. Pil...
İnce Film Silisyum Güneş Gözelerinin Tasarımı ve Kimyasal Aşındırma İle Elde Edilmiş Silisyum Pulları Üzerine Üretilmesi Yerci, Selçuk(2015-12-31) Silisyum (Si) güneş gözeleri fotovoltaik endüstrisinin yüzde doksanından fazlasına hâkimdir. Silisyumun bu başarısının arkasında yüksek kaliteye sahip silisyum tek kristalinin uygun maliyetle üretilebilmesi, silisyumun ideale yakın bant aralığının olması ve Si p-n ekleminin kolaylıkla üretilebilmesidir. Bunların yanı sıra silisyumun ışık soğurma katsayısının küçük olması ve dolayısıyla Si güneş gözelerinin göreceli olarak kalın olması ise silisyumun en önemli zaafıdır. Kullanılan kalın malzeme (~200 um), Si...
Düzenli nano yapılarla donatılmış Raman artırım arayüzleri üretilmesi ve artırım kanallarının analizi Bek, Alpan; Öztürk, İbrahim Murat(2017-12-31) Bu projede amaç yüksek artırımlı yüzey artırımlı Raman saçılım (SERS) arayüzleri üretilmesi ve kimyasal SERS artırım mekanizmalarının ayırt edilmeye çalışılmasıdır. Üretim tekniği olarak hassas nano boşluklu geniş alan nano yapı üretimine uygun grubumuzca bir süredir geliştirilmekte olan deşik maske litografisi kullanılacaktır. Güçlü çınlayan nano boşluklu yapılarla donatılmış Raman artırım arayüzleri üretilecektir. Üretilen yüksek artırımlı SERS arayüzleri atomik katman biriktirme yöntemi kullanılarak far...
Heteroeklem Güneş Hücreleri için Elektron Geçirgen Tabaka Geliştirilmesi Yerci, Selçuk(2017-12-31) Silisyumun alüminyum, boron gibi 3A grubu ve fosfor, arsenik gibi 5A grubu elementleri ile katkılanmasıyla homoeklem güneş hücreleri üretilebilir. Silisyum ve germanyum haricindeki güneş hücreleri heteroeklem yapı olarak adlandırılır ve bu hücrelerde elektron ve delik (hole) geçirgen tabakalar üretilmesine ihtiyaç vardır. Elektron geçirgen tabakalar genellikle metal oksitlerden oluşmaktadır ve çinko oksit (ZnO) ve titanyum oksit (TiO2) en çok çalışılan malzemelerdir. GÜNAM laboratuvarlarında perovskit, CIGS...

Citation Formats

A. Bek, F. Idikut, and G. Birant, “İnce film kristal silisyum heteroeklem üretimi,” 2017. Accessed: 00, 2020. [Online]. Available: https://hdl.handle.net/11511/62112.