Show/Hide Menu
Hide/Show Apps
anonymousUser
Logout
Türkçe
Türkçe
Search
Search
Login
Login
OpenMETU
OpenMETU
About
About
Open Science Policy
Open Science Policy
Frequently Asked Questions
Frequently Asked Questions
Communities & Collections
Communities & Collections
İnce film kristal silisyum heteroeklem üretimi
Date
2017-12-31
Author
Bek, Alpan
Çınar, Kamil
Idikut, Firat
Birant, Gizem
Metadata
Show full item record
This work is licensed under a
Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License
.
Item Usage Stats
31
views
0
downloads
Amorf silisyum (a-Si) n-tipi katkılı ince filmlerin plazma yardımlı kimyasal buhar biriktirme (PECVD) ve elektron demet buharlaştırma (e-beam) yöntemleri kullanılarak p tipi kristal Si (c-Si) üzerine kaplanmasıyla heteroeklem üretilebilmektedir. Bu üretim metodu GÜNAM laboratuvarında çalışılmakta ve optimizasyonu hali hazırda yapılmaktadır. Bu projede ise amacımız p tipi c-Si üzerine PECVD ya da e-beam ile kaplanan n-tipi a-Si filme yüksek yoğunlukta ışık atımları göndererek soğurma sağlamak, böylece amorf tabakanın lokal olarak sıcaklığını arttırarak sıvı faza geçirmek ve soğumasını ile kristalize olmasını sağlamaktır. Böylece malzeme iletkenlik ve termal özelliklerini iyileştirerek daha etkin çevirim yapabilecek güneş göze üretimi yapma olanağı sağlayacak heteroeklem yapı oluşabilecektir.
Subject Keywords
Optik Özellikler
,
Spektroskopi
,
Maddenin Parçacıklarla Etkileşmesi
,
Yüzeyler
,
Arayüzler
,
İnce Filimler ve Telimsiler (Whiskers)
,
Özel Aygıtlar ve Genel Kullanım Teknikleri
,
Malzeme Bilimi
,
Enerji ve Çevre
URI
https://hdl.handle.net/11511/62112
Collections
Center for Solar Energy Research and Applications (GÜNAM), Project and Design