İnce film kristal silisyum heteroeklem üretimi

Date

2017-12-31

Author

Bek, Alpan
Çınar, Kamil
Idikut, Firat
Birant, Gizem

Metadata

Show full item record

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Item Usage Stats

60
views

0
downloads

Cite This

Amorf silisyum (a-Si) n-tipi katkılı ince filmlerin plazma yardımlı kimyasal buhar biriktirme (PECVD) ve elektron demet buharlaştırma (e-beam) yöntemleri kullanılarak p tipi kristal Si (c-Si) üzerine kaplanmasıyla heteroeklem üretilebilmektedir. Bu üretim metodu GÜNAM laboratuvarında çalışılmakta ve optimizasyonu hali hazırda yapılmaktadır. Bu projede ise amacımız p tipi c-Si üzerine PECVD ya da e-beam ile kaplanan n-tipi a-Si filme yüksek yoğunlukta ışık atımları göndererek soğurma sağlamak, böylece amorf tabakanın lokal olarak sıcaklığını arttırarak sıvı faza geçirmek ve soğumasını ile kristalize olmasını sağlamaktır. Böylece malzeme iletkenlik ve termal özelliklerini iyileştirerek daha etkin çevirim yapabilecek güneş göze üretimi yapma olanağı sağlayacak heteroeklem yapı oluşabilecektir.

Subject Keywords

Optik Özellikler, Spektroskopi, Maddenin Parçacıklarla Etkileşmesi, Yüzeyler, Arayüzler, İnce Filimler ve Telimsiler (Whiskers), Özel Aygıtlar ve Genel Kullanım Teknikleri, Malzeme Bilimi, Enerji ve Çevre

URI

https://hdl.handle.net/11511/62112

Collections

Center for Solar Energy Research and Applications (GÜNAM), Project and Design