Düzenli nano yapılarla donatılmış Raman artırım arayüzleri üretilmesi ve artırım kanallarının analizi

Date

2017-12-31

Author

Bek, Alpan
Öztürk, İbrahim Murat

Metadata

Show full item record

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Item Usage Stats

315
views

0
downloads

Bu projede amaç yüksek artırımlı yüzey artırımlı Raman saçılım (SERS) arayüzleri üretilmesi ve kimyasal SERS artırım mekanizmalarının ayırt edilmeye çalışılmasıdır. Üretim tekniği olarak hassas nano boşluklu geniş alan nano yapı üretimine uygun grubumuzca bir süredir geliştirilmekte olan deşik maske litografisi kullanılacaktır. Güçlü çınlayan nano boşluklu yapılarla donatılmış Raman artırım arayüzleri üretilecektir. Üretilen yüksek artırımlı SERS arayüzleri atomik katman biriktirme yöntemi kullanılarak farklı kimyasal özellikteki nanometre altı dielektirik malzemeler ile kaplanacak böylelikle Raman artırımının sebeplerinden biri olan kimyasal artırım özellikleri değiştirilecektir. Üretilen örnekler üzerinden toplanan verilerdeki Raman şiddeti farkı incelenerek elektro manyetik Raman artırım kanalı kadar iyi anlaşılamayan kimyasal Raman artırım kanalının etkileri deneysel olarak ortaya konulacaktır.

Subject Keywords

Atomik ve Moleküler Etkileşmeler, Atom ve Molekül Özellikleri: Ölçüm Teknikleri, Fiziksel Kimya, Ölçüm Bilimi, Genel Laboratuvar Teknikleri ve Enstrümantasyon Sistemleri, Optik Özellikler, Spektroskopi, Maddenin Parçacıklarla Etkileşmesi, Yalıtkan Özellikler ve Malzemeler, Yüzeyler, Arayüzler, İnce Filimler ve Telimsiler (Whiskers)

URI

https://hdl.handle.net/11511/58789

Collections

Department of Physics, Project and Design

Suggestions

OpenMETU
Core

Çok Kipli Lazer Diyotun Işın Kaynağı Olarak Kullanıldığı Terahertz (THz) Spektroskopi Sistemleri için Hızlı Taramanın Geliştirilmesi Altan, Hakan(2017-12-31) Elektromanyetik spektrumdaki bölümler ile ilgili daha önceleri birçok araştırma yapılmış olmasına rağmen Terahertz frekans aralığına yönelik çalışmalar son 30 yılda hız kazanmıştır. En önemli teknolojik kısıtlama bu teknolojinin diğerlerine nazaran geri kalmasının da en büyük etkeni olan THz ışımayı gerçekleştirmek için ihtiyaç duyulan kaynakların eksikliği olmuştur. Bu proje çalışmasında, laboratuvarlarımızda kurmuş olduğumuz THz spektroskop sistemleri ile farklı ölçüm yeteneklerini geliştirmeyi ve kazanm...
İnce film kristal silisyum heteroeklem üretimi Bek, Alpan; Idikut, Firat; Birant, Gizem(2017-12-31) Amorf silisyum (a-Si) n-tipi katkılı ince filmlerin plazma yardımlı kimyasal buhar biriktirme (PECVD) ve elektron demet buharlaştırma (e-beam) yöntemleri kullanılarak p tipi kristal Si (c-Si) üzerine kaplanmasıyla heteroeklem üretilebilmektedir. Bu üretim metodu GÜNAM laboratuvarında çalışılmakta ve optimizasyonu hali hazırda yapılmaktadır. Bu projede ise amacımız p tipi c-Si üzerine PECVD ya da e-beam ile kaplanan n-tipi a-Si filme yüksek yoğunlukta ışık atımları göndererek soğurma sağlamak, böylece amorf ...
Petrol Ürünü Yakıtların Terahertz Spektroskopiyle Analizi Esentürk, Okan; Altan, Hakan(2013-12-31) Bu çalışma çeşitli akaryakıt örneklerini Zamana Dayalı Terahertz Spektroskopisi tekniğine dayalı bir analiz metodu geliştirerek ayrıştırmayı amaçlamaktadır. Önerilen projede amaca iki basakta ulaşılması hedeflenmektedir: mevcut ölçüm sisteminin örneklere uygun olacak şekilde geliştirilmesi ve akaryakıt ürünlerini ayırt edici metot geliştirilmesi. Motorlu taşıtlarda kullanılan akaryakıtlar çok sayıda farklı molekülleri barındırır. Bu moleküller arasında değişik uzunluklarda karbon zincirleri, alkoller ve hal...
Plazmonik Metal Nanoyapılar Yardımıyla Silisyum Tabanlı Güneş Pili Etkinliğinin Artırılması. Bek, Alpan; Kasap, Yusuf; Turgut, Berk Berkan; Zolfaghariborra, Mona(2013-12-31) Projemizde güneş gözelerinin etkinliğinin arttırılması amaçlı plazmonik arayüz tasarım ve üretimi planlanmaktadır. Bu doğrultuda kendiliğinden oluşum yöntemi kullanılacak ve sonuçta yönlendirilmiş kendiliğinden oluşum ile güneş gözelerinde verimlilik artışı sağlanacaktır. Ülkemi enerji teknolojisine katma değer sağlanacaktır.
CuZnSnTe2 ince filmlerinin manyetik saçtırmalı kaplama tekniğiyle üretilmesi ve özelliklerinin belirlenmesi Parlak, Mehmet; Erçelebi, Ayşe Çiğdem; Güllü, Hasan Hüseyin(2013-12-31) Bu çalışmada CuZnSnTe2 (CZST) ince filmleri, molubdenyum (Mo) ve titanyum (Ti) arka kontak tabakası üzerine büyütülecektir, Alt kontak özellikleri bakımından CZTS için Mo ve Ti oldukça uygun malzemelerdir. Literatürde verilen sonuçlara göre, Ti üzerine büyütülen Cu(In,Ga)Se2 filmlerden yüksek verimli aygıtlar elde edilebilmektedir. Buna rağmen Ti arka kontaklar üzerine CZST filmlerin yapıldığı bir çalışma literatürde bulunmamaktadır. DC ve RF maynetik saçtırma tekniği ile önce indium tin oxide (ITO), Ti ve ...

Citation Formats

A. Bek and İ. M. Öztürk, “Düzenli nano yapılarla donatılmış Raman artırım arayüzleri üretilmesi ve artırım kanallarının analizi,” 2017. Accessed: 00, 2020. [Online]. Available: https://hdl.handle.net/11511/58789.