Incommensurate faz içeren ferroelektrik kristallerde bellek etkisinin incelenmesi

Download

TXpVNE56Yz0.pdf

Date

1999

Author

Özdemir, Selahattin
Bucurgat, Mahmut

Metadata

Show full item record

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Item Usage Stats

111
views

62
downloads

Bu proje ile incommensurate (IC) yapı içeren ferroelektrik kristallerden TlIn$S_2$ kullanılarak yapılan bir seri deney sayesinde bu çeşit kristallerde görülen ısıl bellek ılayının daha iyi anlaşılması amaçlanmıştır. Bu amaca yönelik olarak pyroelektrik akım, karanlık akım, fotoiletkenlik ve ısıl uyarılmış akım ölçümleri gerçekleştirilmiş ayrıca pyroelektrik akım yöntemi kullanılarak TlIn$S_2$ kristalinin sıcaklığa bağlı spontan polarizasyonu geniş bir sıcaklık aralığında (80-300K) ölçülmüştür. TlIn$S_2$ kristali ile yapılan deneylerde ısıl bellek olayı literatürde kullanılan diğer kristallere göre (1-6) çok daha bariz olarak gözlenmiştir. TlIn$S_2$ kristallerinde, paraelektrik-ICF geçiş sıcaklığı literatürde 216 K olarak verilmesine rağmen, ICF özelliğinin 199K-238 K arasında sürdüğü tesbit edilmiştir. Ard arda ölçümlerde azalarak belli CF-ICF geçiş sıcaklığına ulaşan numunenin 10 saat süreyle 80 K'de saklanmasıyla faz geçiş sıcaklığında -3 K artış gözlenmiş, ancak daha yüksek sıcaklıklardaki saklamaların faz geçiş sıcaklığını değiştirmediği tesbit edilmiştir.Kısa süreli ısıl işlemle yazılanların yine kısa sürede bellekten silinmesi beklenirken kilitkenen IC fazın relaksasyon süresinin beklenenin tersine kısa olmadığı gözlenmiştir. Yukarıda adı geçen hepsi fakat özellikle Isıl Uyarılmış İletkenlik spektrumunun ard arda yapılan ölçümler surasındaki ısıl işlemden kaynaklanan değişimler dikkatle izlenmiştir. Böylece literatürde en çok kabul gören "Kusur Yoğunluk Dalga" (KYD) modelinde öngörülen hareketli yük tuzaklarının varlığı deneysel olarak gözlenmiş ve tuzak parametrelerindeki değişimler hesaplanmıştır. Etki, yukarıda adı geçen modele bağlı kalınarak kristalin tabakalı yapısından kaynaklanan çok sayıdaki hareketli yük tuzaklarının varlığına atfedilmiştir.

URI

https://app.trdizin.gov.tr/publication/project/detail/TXpVNE56Yz0
https://hdl.handle.net/11511/49960

Collections

Department of Physics, Project and Design

Suggestions

OpenMETU
Core

İnce film kristal silisyum heteroeklem üretimi Bek, Alpan; Idikut, Firat; Birant, Gizem(2017-12-31) Amorf silisyum (a-Si) n-tipi katkılı ince filmlerin plazma yardımlı kimyasal buhar biriktirme (PECVD) ve elektron demet buharlaştırma (e-beam) yöntemleri kullanılarak p tipi kristal Si (c-Si) üzerine kaplanmasıyla heteroeklem üretilebilmektedir. Bu üretim metodu GÜNAM laboratuvarında çalışılmakta ve optimizasyonu hali hazırda yapılmaktadır. Bu projede ise amacımız p tipi c-Si üzerine PECVD ya da e-beam ile kaplanan n-tipi a-Si filme yüksek yoğunlukta ışık atımları göndererek soğurma sağlamak, böylece amorf ...
İkincil iyon kütle spektrometresinin geliştirilmesi Süzer, Şefik; Hacaloğlu, Jale(1994) Bu çalışmada amacımız, elimizde bulunan elektron impact kuadropol ( El ) kütle spektrometresini ikincil iyon kütle spetrometresine (secondary ion mass spectrometry, SIMS) dönüştürmektir. Bu amaçla bir ikincil iyon tüfeği ( secondary ion gun) satın alınmıştır. İyon tüfeğini kütle spektrometresine birleştirmek için gerekli vakum bağlantıları ve bir katı örnek hücre ünitesi tasarlanmış ve maklna atölyelerinde yaptırılmıştır. Yapılan değişikliklerin gerektiği zaman elektron impact konumuna kısa sürede dönüştürü...
InSe ince filmlerin ve InSe ince film aygıtların elde edilmesi ve incelenmesi Özkan, Hüsnü; Erçelebi, Ayşe Çiğdem; Gasanly, Nizami; Günal, İbrahim; Allakhverdıev, Kerim; Parlak, Mehmet(1998) Bu projenin öncelikli amacı vakumda cam tabanlar üzerine büyütülen InSe ince filmlerin elektrik, optik ve yapı özelliklerinin incelenerek depozisyon parametrelerinin ve filmlere uygulanan bazı film büyütme sonrası işlemlerin materyal özelliklerine etkilerinin araştırılmasıdır. Ayrıca A3B5C9 tipi ternary yarıiletken bileşikler grubundan bazı tek kristallerin elektriksel karakterizasyonları bu proje çalışması sürecinde oluşturulan sistemle gerçekleştirilmiştir. Değişik sıcaklıklarda (150-250$^\circ$C) tutulan...
İnce Film Silisyum Güneş Hücrelerinde Işık Yönetimi Yerci, Selçuk (null; 2017-04-21) Günümüz fotovoltaikteknolojisinde kullanılan yüksek verimliliğe sahip tek kristal silisyum (k-Si) güneş hücrelerinin kalınlığı yaklaşık 180 mikrondur ve Si pulunun maliyeti güneş modülün toplam maliyetinin yaklaşık olarak üçte birine tekabül etmektedir. Gelecekte Si pul kesme teknolojisi kullanılarak 120 mikron kalınlığında Si pullarının üretileceğini öngörülmektedir. Ancak Si kalınlığındaki bu sınırlı azalmanın maliyet/verimlilik oranına etkisi de çok sınırlı ka...
Projeksiyona dayalı çok ölçekli varyasyonel uygun dik ayrıştırma metodunun modüler regülarizasyonu Güler Eroğlu, Fatma; Kaya Merdan, Songül (null; 2017-04-29) Bu çalışmada, sıkıştırılamaz Navier-Stokes denklemleri için uygun dik ayrıştırma (POD) metodu ile projeksiyona dayalı varyasyonel çok ölçekli metodun (VMS) bir uygulaması incelenmiştir. Projeksiyona dayalı VMS stabilizasyonu, standart POD yaklaşımına ayrı bir basamak olarak eklenmiştir. Stabilizasyon adımı tamamen ayrıştırıldığından, yöntem geçerli kodlara kolayca dahil edilmiştir. Yeni algoritmanın sonlu elemanlar ayrıklaştırması için kararlılık ve yakınsaklık analizleri sunulmuştur. Ölçüt problemleri kull...

Citation Formats

S. Özdemir and M. Bucurgat, “Incommensurate faz içeren ferroelektrik kristallerde bellek etkisinin incelenmesi,” 1999. Accessed: 00, 2020. [Online]. Available: https://app.trdizin.gov.tr/publication/project/detail/TXpVNE56Yz0.