InSe ince filmlerin ve InSe ince film aygıtların elde edilmesi ve incelenmesi

Download
1998
Özkan, Hüsnü
Erçelebi, Ayşe Çiğdem
Gasanly, Nizami
Günal, İbrahim
Allakhverdıev, Kerim
Parlak, Mehmet
Bu projenin öncelikli amacı vakumda cam tabanlar üzerine büyütülen InSe ince filmlerin elektrik, optik ve yapı özelliklerinin incelenerek depozisyon parametrelerinin ve filmlere uygulanan bazı film büyütme sonrası işlemlerin materyal özelliklerine etkilerinin araştırılmasıdır. Ayrıca A3B5C9 tipi ternary yarıiletken bileşikler grubundan bazı tek kristallerin elektriksel karakterizasyonları bu proje çalışması sürecinde oluşturulan sistemle gerçekleştirilmiştir. Değişik sıcaklıklarda (150-250$^\circ$C) tutulan cam tabanlar üzerine vakumda büyütülen ve sonrasında azot gazı altında tavlanan (100-200$^\circ$C) n-InSe ince filmlerin karakterizasyonunda sıcaklık bağımlı mobilité ve iletkenlik; x-ışmı kırınımı, taramalı elektron mikroskopu, optik soğurma spektrometresi gibi ölçüm teknikleri kullanılmıştır. Yapı ve optik özellik çalışmaları, düşük tutucu taban sıcaklıklarında kaplanan filmlerde InSe, $In_2Se_3$ ve $In_6Se_7$ fazlarının oluştuğunu; yüksek sıcaklıklarda $In_2Se_3$ fazının bulunmadığını; direk yasak enerji aralığı değerinin tutucu taban ve tavlama sıcaklığına bağlı olarak 1.21-1.38 eV arasında değiştiğini göstermiştir. 20-320 K arasında yapılan sıcaklık bağımlı iletkenlik ve mobilite ölçümlerinin sonuçları hazırlanan InSe ince filmlerdeki akım-geçiş mekanizmasının genel olarak 220 K'in üzerinde termiyonik emisyon; 100-200 K sıcaklık aralığında tünelleme; 100 K'in altında ise Mott'un değişken erimli hoplama modeline uyduğunu göstermiştir. Au, Pt, Ag, Bi, C kullanarak kalay oksit (TO) kaplı cam tabanlar üzerine hazırlanan InSe ince filmlere Schottky kontak oluşturulması çalışmaları sonucunda TO/InSe/Pt ve TO/InSe/C yapılarında diyot özelliği gözlenmiştir. Ayrıca, proje kapsamında oluşturulan sistem kullanılarak $Ag_3Ga_5Te_9$ ve $Ag_3In_5Se_9$ kristallerinin elektriksel karakterizasyonları da yapılmıştır. Sıcaklık bağımlı iletkenlik Ölçümlerinden her iki kristal için de farklı sıcaklık aralıklarında üç farklı safsızlık iyonizasyon enerji değeri belirlenmiş, elektriksel iletkenliğin safsızlık iyonizasyonuna bağlı olduğu gözlenmiştir.

Suggestions

Ferroelektrik seramik ince filmler
Özenbaş, Ahmet Macit(1998)
Bu çalışmada ferroelektrik özellikli $Pb(Zr,Ti)O_3$ filmler ve tozlar sol-jel yöntemi kullanılarak elde edilmiştir. Tozlar sulu çözeltiden homojen çökeltme, filmler ise çökelme öncesi daldırma yöntemi kullanılarak üreli ortamda hazırlanmışlardır. Altlık malzemesi olarak platin kaplanmış Si-(111) dilimleri, Si dilimleri ve $\alpha-Al_2O_3$ kullanılmıştır. Filmlerin ve tozların karakterizasyon işlemleri için öncelikle XRD ve SEM/EDS kullanılmıştır. Parça boyutu, morfolojisi ve film yüzeyleri SEM çalışmalan il...
Farklı Püskürtülen Ince Kaplamaların Sünme Özelliklerinin Belirlenmesi Ve Sayısal Modellenmesi
Öztürk, Hasan(2018)
Püskürtme Ince Kaplamalar (PIK?ler), maden kazılarının tahkimatı için kaya yüzeyinepüskürtme olarak uygulanan, hızlı kür alan, göreceli olarak ince (2-5 mm) kaplamalardır.Yüzeye püskürtülerek uygulanan püskürtme beton ve polimer kaplamalar gibi tahkimatlarınçok düsük kaya yerdegistirmelerinde bile tahkimat direnci gösterme özellikleri vardır. Kayayerdegistirmesinin çok fazla oldugu durumlarda, daha esnek olan PIK?ler püskürtme betonaoranla daha üstün tahkimat özelligi göstermektedir.Bu çalısmada PIK?lerin o...
Lazer Kristalizasyon Yöntemi ile Yüksek Verimli İnce Film Kristal Si Güneş Gözesi Geliştirilmesi
Turan, Raşit; Bek, Alpan; Toffoli, Hande(2018)
Gerçeklestirdigimiz projede silisyum tabanlı polikristal-amorf silisyum ince film günes gözesiüretimine özellesmis bir lazerle kristalizasyon platformunun sanayi-üniversite isbirligisayesinde gelistirilmesi saglanmıstır. Yola çıkıs hedeflerimiz bu teknoloji ve üniversitearastırma olanakları kullanılarak ince film silisyum günes gözesi üretilebileceginin gösterilmesive üretim yöntem basamaklarının ortaya konmasıdır. Günümüz fotovoltaik piyasasındaki enbüyük pazar payı yaklasık %90 ile kristal silisyum (c-Si)...
Yüksek anisotropiye sahip ikili ve üçiü yarıiletkenlerin fiziksel özellikleri
Allakhverdıev, Kerim; G., Bülent Akınoğlu; Ellialtıoğlu, Şinasi; Gasanlı, Nizami; Erçelebi, Ayşe Çiğdem(1997)
Bu proje başta GaSe ve InSe olmak üzere katmanlı yarıiletkenlerin Bridgman yöntemi ile büyütülmesi ve karekterizasyonu amacını taşımaktadır. Bu yarıiletkenler Ga, in, Tl, S ve Se gibi elemental maddeler kullanılarak büyütülmektedir. Bu proje kapsamında elde edilen sonuçlar literatüre uygunluk göstermektedir. Kristal karakterizasyonıı için x-ışını kırınımı, elektron mikroskopu, optik soğurma spektrometresi, Raman saçılma spektrometresi ve fotolüminesans gibi teknikler kullanılmıştır. GaSe ve InSe'ın genellik...
Mikrobolometre Tipi Sogutmasız Kızılötesi Dedektör Dizinlerine Uygun Silisyum Disk Seviyesinde Vakum Paketleme Yöntemlerinin Gelistirilmesi
Özenbaş, Ahmet Macit; Kalay, Yunus Eren(2018)
Özellikle savunma sanayinde yogun ihtiyaç duyulan sogutmasız kızılötesi dedektörlerin yurtiçinde, ulusal imkânlarla özgün olarak tasarlanması, özgün üretim süreçlerinin gelistirilmesi veüretilmesi büyük önem arz etmektedir. Sogutmasız kızılötesi detektörlerden yüksekperformans elde etmedeki en önemli etkenlerden biri dedektörlerin vakum ortamındaçalıstırılmasıdır. Dolayısıyla, MEMS tabanlı sogutmasız kızılötesi dedektörlerin ürünedönüsmesindeki en son adım olan paketleme konusu daha da önem kazanmaktadır.Pa...
Citation Formats
H. Özkan, A. Ç. Erçelebi, N. Gasanly, İ. Günal, K. Allakhverdıev, and M. Parlak, “InSe ince filmlerin ve InSe ince film aygıtların elde edilmesi ve incelenmesi,” 1998. Accessed: 00, 2020. [Online]. Available: https://app.trdizin.gov.tr/publication/project/detail/TXpVNU5UVT0.