Show/Hide Menu
Hide/Show Apps
Logout
Türkçe
Türkçe
Search
Search
Login
Login
OpenMETU
OpenMETU
About
About
Open Science Policy
Open Science Policy
Open Access Guideline
Open Access Guideline
Postgraduate Thesis Guideline
Postgraduate Thesis Guideline
Communities & Collections
Communities & Collections
Help
Help
Frequently Asked Questions
Frequently Asked Questions
Guides
Guides
Thesis submission
Thesis submission
MS without thesis term project submission
MS without thesis term project submission
Publication submission with DOI
Publication submission with DOI
Publication submission
Publication submission
Supporting Information
Supporting Information
General Information
General Information
Copyright, Embargo and License
Copyright, Embargo and License
Contact us
Contact us
In6s7 Ve Fa3ıınse4 Yarıiletken Kristallerinde Isıluyarılmış Akım Yöntemleri İle Tuzak Parametrelerinin Bulunması
Date
2011-12-31
Author
Hasanlı, Nızamı
Metadata
Show full item record
This work is licensed under a
Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License
.
Item Usage Stats
112
views
0
downloads
Cite This
Proje kapsamında In6S7 ve Ga3InSe4 yarıiletken kristallerinin elektriksel ve optiksel özelliklerini etkileyen tuzak merkezlerinin bulunması için ısıluyarılmış akım (Thermally stimulated current- TSC) ölçümlerinin yapılması planlanmaktadır. Elde edilecek TSC spektrumu birçok metot kullanılarak analiz edilecek ve analizler sonucunda araştırılan yarıiletkenlerde bulunan tuzak merkezlerinin türü, aktivasyon enerjileri, taşıyıcı yoğunlukları ve yakalama kesit alanları hesaplanacaktır. TSC metodunun uygulanmasının basit modeli şöyledir: Yarıiletken madde düşük sıcaklıkta uygun ışık kaynağı ile ışıklandırılır. Bu ışıklandırma sırasında elektronlar iletken banta geçerler. Bu elektronların çoğu çok kısa bir zaman içinde ilk konumları olan valens banta geçerler. Bazıları ise bu geçiş sırasında tuzak merkezlerinde yakalanırlar. Bu yakalanan elektronun valens banttaki yerinde bir deşik oluşur. Bu deşik de deşik tuzak merkezlerinde yakanır. Bu tuzak merkezlerinde yakalanan elektronların tekrar valens banta geçmesi için yarıiletken madde karanlıkta sabit bir ısıtma oranıyla ısıtılır. Tuzaklanmış elektronlar (deşikler) yeterli miktarda enerjiyi ısı sayesinde alınca iletken (valens) banta geçerler. İletken banta geçen elektronlar örneğin iletkenliğini geçici bir süre arttırır. Bu artış örneğin TSC eğrisinde bir tepe olarak gözlemlenir. Bu tepe veya tepelerin analizleri sonucunda bu tuzak merkezlerinin özellikleri hakkında bilgi edinmiş oluruz. Yapacağımız TSC ölçümlerinin sonunda beklediğimiz sonuç yarıiletken maddemizde enerji bant aralığında herhangi bir tuzak merkezinin olup olmadığıdır. Şayet herhangi bir tuzak merkezi var ise bu merkezin karakteristik özelliklerini yapılacak analizler sonucunda bulunacaktır.
URI
https://hdl.handle.net/11511/58753
Collections
Department of Physics, Project and Design
Suggestions
OpenMETU
Core
InSe ince filmlerin ve InSe ince film aygıtların elde edilmesi ve incelenmesi
Özkan, Hüsnü; Erçelebi, Ayşe Çiğdem; Gasanly, Nizami; Günal, İbrahim; Allakhverdıev, Kerim; Parlak, Mehmet(1998)
Bu projenin öncelikli amacı vakumda cam tabanlar üzerine büyütülen InSe ince filmlerin elektrik, optik ve yapı özelliklerinin incelenerek depozisyon parametrelerinin ve filmlere uygulanan bazı film büyütme sonrası işlemlerin materyal özelliklerine etkilerinin araştırılmasıdır. Ayrıca A3B5C9 tipi ternary yarıiletken bileşikler grubundan bazı tek kristallerin elektriksel karakterizasyonları bu proje çalışması sürecinde oluşturulan sistemle gerçekleştirilmiştir. Değişik sıcaklıklarda (150-250$^\circ$C) tutulan...
Yarı İletken Metal Oksit Karışım Katalizörleri: Tanımlama ve Çevre Uygulamaları
Bölükbaşı, Ufuk; Karakaş, Gürkan(2010)
Bu çalışmada sol-gel yöntemiyle sentezlenen kalay oksit (SnO 2 )/TiO 2 örneklerinin katalitikoksidasyon etkinlikleri ve tepkime koşullarında elektronik özelliklerindeki değişim araştırılmıştır.Katalizör örneklerinin tanımlanmasında XRD, SEM/EDX, BET ve AC impedans spektroskopisiteknikleri kullanılmıştır. Propilen gazının toplam oksidasyonu tepkimesi örneklerin katalitiketkinliğinin belirlenmesinde kullanılmıştır. Sonuçlar SnO 2 /TiO 2 örneklerinin elektriksel iletkenliğinin,katalitik etkinliğinin ve propile...
SiC Güç Yarı İletkeni Tabanlı Şebekeye Bağlı Fotovoltaik Güç Kaynağı Geliştirme Projesi
Ermiş, Muammer; Nalçacı, Gamze(2015-12-31)
Bu projede ‘Silicon Carbide (SiC)’ yarı iletken teknolojisini kullanarak, Yüksek Frekans Transformatörlü DA/DA çevirgece dayalı maksimum güç noktası izleyicisi ve üç fazlı evirgeçten oluşan özgün bir fotovoltaik enerji dönüşüm sistemi tasarlanıp gerçekleştirilecektir. Si tabanlı IGBT yerine SiC MOSFET’e dayalı olarak geliştirilmesi planlanan sistemin enerji dönüşüm verimliliği eniyilenecek ve böylece uzun yıllar alan fotovoltaik panel ilk yatırım maliyetinin geri ödeme süresi en aza indirilmiş olacaktır. G...
LangmuirMetotuKullanılarak CdSe Kuantum Noktalarının Ince Filmlerinin Hazırlanması
Volkan, Mürvet; Gökmen, Ali; Ertaş, Gülay(2018-12-31)
Bu projedeki amacımız, yarı iletken kuantum noktaların Langmuir Blodgett methodu ile oluşturulan ince filmlerinin katı yüzey üzerine transferlerini sağlayıp güneş pili uygulama alanında kullanımına uygun hale getirmektir.Kuantum noktaların sentez metodu olarak kinetik büyüme yöntemi kullanılacak olup, film çalışmaları Langmuir Blodgett methodu ile devam ettirilecektir. Sentezlenen nanokristallerin karakterizasyonu Floresans Spektroskopisi, UV-vis Spektrofotometresi ve Geçirimli Elektron Mikroskobu kullanı...
Nano yapılı metalik alaşımların mikrodalga sinterleme yöntemiyle üretilmesi
Dericioğlu, Arcan Fehmi(2011)
Bu çalışmada, mikrodalga sinterleme yönteminin konvansiyonel yönteme kıyasla yumuşak manyetik özellikler gösteren toz metalurjik nano yapılı Nikel-Demir alaşım sisteminde faz oluşumu ve yoğunlaşım ile mikroyapısal, manyetik ve mekanik özelliklere etkisinin araştırılması hedeflenmiştir. Proje kapsamında, mikron yapılı Nikel-Demir alaşım sisteminde ön çalışmalar ile paslanmaz çelik sisteminde çalışmalar yapılmış ve mikrodalga sinterleme yönteminin oluşan fazlar ve yoğunlaşım ile mikr...
Citation Formats
IEEE
ACM
APA
CHICAGO
MLA
BibTeX
N. Hasanlı, “In6s7 Ve Fa3ıınse4 Yarıiletken Kristallerinde Isıluyarılmış Akım Yöntemleri İle Tuzak Parametrelerinin Bulunması,” 2011. Accessed: 00, 2020. [Online]. Available: https://hdl.handle.net/11511/58753.