Hide/Show Apps

In6s7 Ve Fa3ıınse4 Yarıiletken Kristallerinde Isıluyarılmış Akım Yöntemleri İle Tuzak Parametrelerinin Bulunması

Proje kapsamında In6S7 ve Ga3InSe4 yarıiletken kristallerinin elektriksel ve optiksel özelliklerini etkileyen tuzak merkezlerinin bulunması için ısıluyarılmış akım (Thermally stimulated current- TSC) ölçümlerinin yapılması planlanmaktadır. Elde edilecek TSC spektrumu birçok metot kullanılarak analiz edilecek ve analizler sonucunda araştırılan yarıiletkenlerde bulunan tuzak merkezlerinin türü, aktivasyon enerjileri, taşıyıcı yoğunlukları ve yakalama kesit alanları hesaplanacaktır. TSC metodunun uygulanmasının basit modeli şöyledir: Yarıiletken madde düşük sıcaklıkta uygun ışık kaynağı ile ışıklandırılır. Bu ışıklandırma sırasında elektronlar iletken banta geçerler. Bu elektronların çoğu çok kısa bir zaman içinde ilk konumları olan valens banta geçerler. Bazıları ise bu geçiş sırasında tuzak merkezlerinde yakalanırlar. Bu yakalanan elektronun valens banttaki yerinde bir deşik oluşur. Bu deşik de deşik tuzak merkezlerinde yakanır. Bu tuzak merkezlerinde yakalanan elektronların tekrar valens banta geçmesi için yarıiletken madde karanlıkta sabit bir ısıtma oranıyla ısıtılır. Tuzaklanmış elektronlar (deşikler) yeterli miktarda enerjiyi ısı sayesinde alınca iletken (valens) banta geçerler. İletken banta geçen elektronlar örneğin iletkenliğini geçici bir süre arttırır. Bu artış örneğin TSC eğrisinde bir tepe olarak gözlemlenir. Bu tepe veya tepelerin analizleri sonucunda bu tuzak merkezlerinin özellikleri hakkında bilgi edinmiş oluruz. Yapacağımız TSC ölçümlerinin sonunda beklediğimiz sonuç yarıiletken maddemizde enerji bant aralığında herhangi bir tuzak merkezinin olup olmadığıdır. Şayet herhangi bir tuzak merkezi var ise bu merkezin karakteristik özelliklerini yapılacak analizler sonucunda bulunacaktır.