In6s7 Ve Fa3ıınse4 Yarıiletken Kristallerinde Isıluyarılmış Akım Yöntemleri İle Tuzak Parametrelerinin Bulunması

Date

2011-12-31

Author

Hasanlı, Nızamı

Metadata

Show full item record

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Item Usage Stats

91
views

0
downloads

Proje kapsamında In6S7 ve Ga3InSe4 yarıiletken kristallerinin elektriksel ve optiksel özelliklerini etkileyen tuzak merkezlerinin bulunması için ısıluyarılmış akım (Thermally stimulated current- TSC) ölçümlerinin yapılması planlanmaktadır. Elde edilecek TSC spektrumu birçok metot kullanılarak analiz edilecek ve analizler sonucunda araştırılan yarıiletkenlerde bulunan tuzak merkezlerinin türü, aktivasyon enerjileri, taşıyıcı yoğunlukları ve yakalama kesit alanları hesaplanacaktır. TSC metodunun uygulanmasının basit modeli şöyledir: Yarıiletken madde düşük sıcaklıkta uygun ışık kaynağı ile ışıklandırılır. Bu ışıklandırma sırasında elektronlar iletken banta geçerler. Bu elektronların çoğu çok kısa bir zaman içinde ilk konumları olan valens banta geçerler. Bazıları ise bu geçiş sırasında tuzak merkezlerinde yakalanırlar. Bu yakalanan elektronun valens banttaki yerinde bir deşik oluşur. Bu deşik de deşik tuzak merkezlerinde yakanır. Bu tuzak merkezlerinde yakalanan elektronların tekrar valens banta geçmesi için yarıiletken madde karanlıkta sabit bir ısıtma oranıyla ısıtılır. Tuzaklanmış elektronlar (deşikler) yeterli miktarda enerjiyi ısı sayesinde alınca iletken (valens) banta geçerler. İletken banta geçen elektronlar örneğin iletkenliğini geçici bir süre arttırır. Bu artış örneğin TSC eğrisinde bir tepe olarak gözlemlenir. Bu tepe veya tepelerin analizleri sonucunda bu tuzak merkezlerinin özellikleri hakkında bilgi edinmiş oluruz. Yapacağımız TSC ölçümlerinin sonunda beklediğimiz sonuç yarıiletken maddemizde enerji bant aralığında herhangi bir tuzak merkezinin olup olmadığıdır. Şayet herhangi bir tuzak merkezi var ise bu merkezin karakteristik özelliklerini yapılacak analizler sonucunda bulunacaktır.

URI

https://hdl.handle.net/11511/58753

Collections

Department of Physics, Project and Design

Suggestions

OpenMETU
Core

InSe ince filmlerin ve InSe ince film aygıtların elde edilmesi ve incelenmesi Özkan, Hüsnü; Erçelebi, Ayşe Çiğdem; Gasanly, Nizami; Günal, İbrahim; Allakhverdıev, Kerim; Parlak, Mehmet(1998) Bu projenin öncelikli amacı vakumda cam tabanlar üzerine büyütülen InSe ince filmlerin elektrik, optik ve yapı özelliklerinin incelenerek depozisyon parametrelerinin ve filmlere uygulanan bazı film büyütme sonrası işlemlerin materyal özelliklerine etkilerinin araştırılmasıdır. Ayrıca A3B5C9 tipi ternary yarıiletken bileşikler grubundan bazı tek kristallerin elektriksel karakterizasyonları bu proje çalışması sürecinde oluşturulan sistemle gerçekleştirilmiştir. Değişik sıcaklıklarda (150-250$^\circ$C) tutulan...
Yarı İletken Metal Oksit Karışım Katalizörleri: Tanımlama ve Çevre Uygulamaları Bölükbaşı, Ufuk; Karakaş, Gürkan(2010) Bu çalışmada sol-gel yöntemiyle sentezlenen kalay oksit (SnO 2 )/TiO 2 örneklerinin katalitikoksidasyon etkinlikleri ve tepkime koşullarında elektronik özelliklerindeki değişim araştırılmıştır.Katalizör örneklerinin tanımlanmasında XRD, SEM/EDX, BET ve AC impedans spektroskopisiteknikleri kullanılmıştır. Propilen gazının toplam oksidasyonu tepkimesi örneklerin katalitiketkinliğinin belirlenmesinde kullanılmıştır. Sonuçlar SnO 2 /TiO 2 örneklerinin elektriksel iletkenliğinin,katalitik etkinliğinin ve propile...
SiC Güç Yarı İletkeni Tabanlı Şebekeye Bağlı Fotovoltaik Güç Kaynağı Geliştirme Projesi Ermiş, Muammer; Nalçacı, Gamze(2015-12-31) Bu projede ‘Silicon Carbide (SiC)’ yarı iletken teknolojisini kullanarak, Yüksek Frekans Transformatörlü DA/DA çevirgece dayalı maksimum güç noktası izleyicisi ve üç fazlı evirgeçten oluşan özgün bir fotovoltaik enerji dönüşüm sistemi tasarlanıp gerçekleştirilecektir. Si tabanlı IGBT yerine SiC MOSFET’e dayalı olarak geliştirilmesi planlanan sistemin enerji dönüşüm verimliliği eniyilenecek ve böylece uzun yıllar alan fotovoltaik panel ilk yatırım maliyetinin geri ödeme süresi en aza indirilmiş olacaktır. G...
LangmuirMetotuKullanılarak CdSe Kuantum Noktalarının Ince Filmlerinin Hazırlanması Volkan, Mürvet; Gökmen, Ali; Ertaş, Gülay(2018-12-31) Bu projedeki amacımız, yarı iletken kuantum noktaların Langmuir Blodgett methodu ile oluşturulan ince filmlerinin katı yüzey üzerine transferlerini sağlayıp güneş pili uygulama alanında kullanımına uygun hale getirmektir.Kuantum noktaların sentez metodu olarak kinetik büyüme yöntemi kullanılacak olup, film çalışmaları Langmuir Blodgett methodu ile devam ettirilecektir. Sentezlenen nanokristallerin karakterizasyonu Floresans Spektroskopisi, UV-vis Spektrofotometresi ve Geçirimli Elektron Mikroskobu kullanı...
Nano yapılı metalik alaşımların mikrodalga sinterleme yöntemiyle üretilmesi Dericioğlu, Arcan Fehmi(2011) Bu çalışmada, mikrodalga sinterleme yönteminin konvansiyonel yönteme kıyasla yumuşak manyetik özellikler gösteren toz metalurjik nano yapılı Nikel-Demir alaşım sisteminde faz oluşumu ve yoğunlaşım ile mikroyapısal, manyetik ve mekanik özelliklere etkisinin araştırılması hedeflenmiştir. Proje kapsamında, mikron yapılı Nikel-Demir alaşım sisteminde ön çalışmalar ile paslanmaz çelik sisteminde çalışmalar yapılmış ve mikrodalga sinterleme yönteminin oluşan fazlar ve yoğunlaşım ile mikr...

Citation Formats

N. Hasanlı, “In6s7 Ve Fa3ıınse4 Yarıiletken Kristallerinde Isıluyarılmış Akım Yöntemleri İle Tuzak Parametrelerinin Bulunması,” 2011. Accessed: 00, 2020. [Online]. Available: https://hdl.handle.net/11511/58753.