Cu2ZnSnSe4 İnce Filmlerinin Fiziksel Buharlaştırma Tekniği ile Üretilmesi ve Özelliklerinin Belirlenmesi

2016-12-31
Hızla büyüyen enerji ihtiyacı çağımızın çözülmesi gereken en büyük problemlerindedir. Son yıllarda, yenilenebilir enerji kaynakları içerisinde fotovoltaik teknolojisi hızla gelişen, ülkelerin gelecekteki enerji politikalarında yer verdikleri ve büyük yatırımlar yaptıkları bir alandır. Günümüzde, silikon tabanlı güneş gözeleri dünya fotovoltaik pazarının yaklaşık % 85’ini teşkil ederken[1], ince film kalkojenit tabanlı güneş gözeleri de bu pazardaki yerini almaya başlamıştır. Bu fotovoltaik yapılar, silikon ile karşılaştırıldığında, daha ince bir emici tabaka kullanımı olanağı sağlamaktadır. Ayrıca, yapı içerisindeki farklı metal veya kalkojenlerin kullanımı ile malzemenin bant aralığı istenen uygulamaya yönelik ayarlanabilmektedir. Bu durum güneş spektrumu ile ilgili olarak emici band aralığının optimizasyonuna olanak sağlamaktadır. Bu çalışmada Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) Kesterit yapısı ısısal buharlaştırma tekniği ile katmanlı bir şekilde ince film olarak üretilecektir. İstenilen stokiyometride ve kristal yapıda ince film elde edebilmek için üretim sonrası gerekli selenizasyon ve ısıl işlemlemler uygulanacaktır. Sonrasında verimli bir güneş hücresi üretimi için bu ince filmlerin elektriksel, optiksel ve yapısal analizleri gerçekleştirilecektir.

Suggestions

CuZnSnTe2 ince filmlerinin manyetik saçtırmalı kaplama tekniğiyle üretilmesi ve özelliklerinin belirlenmesi
Parlak, Mehmet; Erçelebi, Ayşe Çiğdem; Güllü, Hasan Hüseyin(2013-12-31)
Bu çalışmada CuZnSnTe2 (CZST) ince filmleri, molubdenyum (Mo) ve titanyum (Ti) arka kontak tabakası üzerine büyütülecektir, Alt kontak özellikleri bakımından CZTS için Mo ve Ti oldukça uygun malzemelerdir. Literatürde verilen sonuçlara göre, Ti üzerine büyütülen Cu(In,Ga)Se2 filmlerden yüksek verimli aygıtlar elde edilebilmektedir. Buna rağmen Ti arka kontaklar üzerine CZST filmlerin yapıldığı bir çalışma literatürde bulunmamaktadır. DC ve RF maynetik saçtırma tekniği ile önce indium tin oxide (ITO), Ti ve ...
Cu2ZnSn(S,Se)4 İnce Filmlerinin Fiziksel Buharlaştırma Tekniği ile Üretilmesi ve Özelliklerinin Belirlenmesi
Parlak, Mehmet; Erçelebi, Ayşe Çiğdem; Terlemezoğlu, Makbule(2017-12-31)
Bu çalışmada, Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) yapısına bağlı olarak selenyum-sulfur bileşiği Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe), bir önceki projede elde edilen üretim parametrelerine çerçevesinde ısısal buharlaştırma tekniği ile katmanlı bir şekilde cam alttaşlar üzerine ince film kaplama olarak üretilecektir. Üretim sonrasında elde edilen örnekler öncelikle herhangi bir üretim sonrası işlem görmeden (as-grown) incelenecek, yapısal, elektriksel, optiksel yapısal tamamlanacaktır. Bu karakterizasyon basamağı sonrasında, üretilen ...
Sensör Uygulamaları İçin THz Metamalzeme Yapıların Geliştirilmesi
Altan, Hakan; Yıldırım, İhsan Ozan; Nebioğlu, Mehmet Ali; Akkaya, Merve; Alkuş, Ümit(2017-12-31)
Terahertz teknolojisinde metamalzemeler, doğal malzemelerden elde edilemeyen elektromanyetik özellikler gösterdiği ve istenen fonksiyonellikte tasarlanabildiğinden, yapay optik elemanların tasarımında önemli bir yere sahiptir. Son yıllarda elektromanyetik spektrumunun farklı frekanslarında çeşitli uygulamalar için metamalzeme alanında çok fazla araştırma yapılmış ve bu çalışmalar büyük ilgi görmüştür. Metamalzemeler geometrik olarak ölçeklendirilebilirler ve böylece radyo, mikrodalga, milimetre-dalga, uzak...
ZnSnS2 ince filmlerinin Isısal buharlaştırma tekniği ile üretilmesi ve özelliklerinin belirlenmesi
Parlak, Mehmet; Erçelebi, Ayşe Çiğdem(2015-12-31)
Cu(In,Ga)(Se,S yada Te)2 (CIGS), CIT, CIS kalkopirit ince filmleri yüksek soğurma katsayıları ve uygun band yapılarından dolayi güneş pili uygulaması için uygun yarıiletken malzemelerdendir. Son yıllarda yapılan CIGS aygit çalışmalari, bu pillerin verimliliklerinin laboratuvar ölçeginde %20 seviyelerinde olduğunu göstermiştir[1-5]. Bu nedenden dolayı diğer ince film güneş pilleri arasında popüler olmaya başlamıştır. Bu filmlerin hetero eklem yapısı genelde ZnO:Al/ZnO/CdS/CI(G)S/Mo/cam şeklindedir [6]. Pil...
Alternatif soğurucu katman olarak SnSexTe(1-x) ince film yapısının üretimi ve özelliklerinin araştırılması
Parlak, Mehmet; Erçelebi, Ayşe Çiğdem; Terlemezoğlu, Makbule(2018-12-31)
Bu çalışmada, SnSexTe(1-x) ince film yapısı cam altaşlar üzerine Sn, Se ve Te elementel kaynaklar kullanılarak belli bir sıra ile ısısal buharlaştırılarak katmanlı şekilde büyütülecektir. Bu üretim parametreleri, üçlü yapının ikili bileşenleri olarak SnSe ve SnTe ince filmlerinin üretimlerinin optimizasyonu ve fiziksel özelliklerinin incelenmesi ile belirlenecektir. Öncelikle, oda sıcaklığında üretimi yapılacak olan SnSexTe(1-x) ince filminin, X-ışınları difraksiyonu (XRD) ile kristal yapı özellikleri ve y...
Citation Formats
M. Parlak, A. Ç. Erçelebi, and M. Terlemezoğlu, “Cu2ZnSnSe4 İnce Filmlerinin Fiziksel Buharlaştırma Tekniği ile Üretilmesi ve Özelliklerinin Belirlenmesi,” 2016. Accessed: 00, 2020. [Online]. Available: https://hdl.handle.net/11511/58780.