Femtosaniye kızılötesi lazerle silisyum pul içi gömülü kırınım yapılarının 5 mikrometre altı çözünürlükle doğrudan yazılması

2018-12-31
Projenin amacı, bizim keşfettiğimiz ve dünyada ilk kez silisyumun (Si) yüzey-altında ve 3 boyutlu olarak işlenmesine olanak sağlayan bir tekniği geliştirerek gömülü kırınımsal optik elemanların üretimi için sisteme yüksek çözünürlük kazandırmaktır. Bu teknikte kristal Si’un içinde kristal yapısı bozulmuş Si yapılar, Si’un geçirgen olduğu 1,5 μm dalgaboyunda çalışan kısa (femtosaniye) lazer atımlarının Si içinde doğrusal olmayan bir geri besleme mekanizmasıyla kendiliğinden oluşmaktadır. Yapıların üretimi 3 boyutlu olarak motorize konumlandırıcılar aracılığıyla kontrol edilmektedir. Silisyum içine yazılan yapılar seçici kimyasal aşındırmayla çıkarılarak kalan şekillendirilmiş yüzeyler kullanılarak fotonik aygıtların dalgaboyu çalışma aralığı görünür bölgeyi kapsayacak şekilde geliştirilebilmektedir. Ön çalışmalarımız sonucunda, yonga içerisinde mercek ve hologramlar oluşturulabilmiş ve 1,064 μm dalgaboyunda deneysel olarak test edilmiştir. Gerçekleştirdiğimiz çalışmalarda kendinden limitli bir etkileşim mekanizması nedeniyle silisyum içine yazılabilen yapıların piksel boyutları en küçük 10-15 mikrometre arasında kalmaktadır. Projenin somut hedefi bu yeni lazer-malzeme işleme rejimi ile göstermiş olduğumuz yazma işleminin çözünürlüğünü artıracak mekanizmalar geliştirmek, bu sayede 5 mikrometre altı çözünürlükte pikselleri doğrudan lazerle silisyum içine yazmak ve seçici aşındırmayla bu yüksek çözünürlükte yapıları ortaya çıkarmaktır.

Suggestions

Y2O3 nanoparçacıkların termolüminesans özelliklerinin incelenmesi
Hasanlı, Nızamı; Bulur, Enver; Kökten, Hatice(2018-12-31)
Nadir toprak oksitleri arasında itriyum oksit (Y2O3), iyi kimyasal, geniş bant enerjisi, fotokimyasal kararlılık, iyi termal iletkenlik, düşük fonon enerjisi gibi özellikleri göz önünde bulundurularak optiksel çalışmalar için gelecek vadeden bir malzeme olarak tanımlanmaktadır. Hem katkısız hem de nadir toprak elementleri ile katkılı Y2O3 malzemesinin lüminesant malzeme olarak kullanılabilirliği bu malzemelerin bant yapısı içerisindeki tuzak merkezlerinin araştırılmasına ve bu merkezlerin aktivasyon enerjis...
Fotovoltaik malzemelerin fotolüminesans haritasının çıkarılması
Yerci, Selçuk; Bektaş, Gence; Soltanpoor, Wiria; Acar, Beran; Naghinazhadahmadi, Parisa; Hadibrata, Wisnu; Şahiner, Mehmet Cem; Koç, Mehmet(2017-12-31)
Önerilen birleştirilmiş tez projesinin amacı, yukarıda bilgilerin verilen 10 öğrencinin de tezleri çerçevesinde üretikleri örneklerin fotolüminesans haritalarının çıkarılmasıdır. Proje çerçevesinde, ODTÜ Güneş Enerjisi Araştırma ve Uygulama Merkezinde bulunan fotolüminesans sistemi iyileştirilecek, aşağıda detayları verilen ölçümler yapılacak, sonuçlar incelenecek, uygun olanlar rapor edilecek ve yayınlanacaktır.Proje kapsamında fotolüminesans yöntemi ile çalışılacak sistemler şunlardır.1) Güneş hücreleri i...
ZnSnS2 ince filmlerinin Isısal buharlaştırma tekniği ile üretilmesi ve özelliklerinin belirlenmesi
Parlak, Mehmet; Erçelebi, Ayşe Çiğdem(2015-12-31)
Cu(In,Ga)(Se,S yada Te)2 (CIGS), CIT, CIS kalkopirit ince filmleri yüksek soğurma katsayıları ve uygun band yapılarından dolayi güneş pili uygulaması için uygun yarıiletken malzemelerdendir. Son yıllarda yapılan CIGS aygit çalışmalari, bu pillerin verimliliklerinin laboratuvar ölçeginde %20 seviyelerinde olduğunu göstermiştir[1-5]. Bu nedenden dolayı diğer ince film güneş pilleri arasında popüler olmaya başlamıştır. Bu filmlerin hetero eklem yapısı genelde ZnO:Al/ZnO/CdS/CI(G)S/Mo/cam şeklindedir [6]. Pil...
CuZnSnTe2 ince filmlerinin manyetik saçtırmalı kaplama tekniğiyle üretilmesi ve özelliklerinin belirlenmesi
Parlak, Mehmet; Erçelebi, Ayşe Çiğdem; Güllü, Hasan Hüseyin(2013-12-31)
Bu çalışmada CuZnSnTe2 (CZST) ince filmleri, molubdenyum (Mo) ve titanyum (Ti) arka kontak tabakası üzerine büyütülecektir, Alt kontak özellikleri bakımından CZTS için Mo ve Ti oldukça uygun malzemelerdir. Literatürde verilen sonuçlara göre, Ti üzerine büyütülen Cu(In,Ga)Se2 filmlerden yüksek verimli aygıtlar elde edilebilmektedir. Buna rağmen Ti arka kontaklar üzerine CZST filmlerin yapıldığı bir çalışma literatürde bulunmamaktadır. DC ve RF maynetik saçtırma tekniği ile önce indium tin oxide (ITO), Ti ve ...
Alternatif soğurucu katman olarak SnSexTe(1-x) ince film yapısının üretimi ve özelliklerinin araştırılması
Parlak, Mehmet; Erçelebi, Ayşe Çiğdem; Terlemezoğlu, Makbule(2018-12-31)
Bu çalışmada, SnSexTe(1-x) ince film yapısı cam altaşlar üzerine Sn, Se ve Te elementel kaynaklar kullanılarak belli bir sıra ile ısısal buharlaştırılarak katmanlı şekilde büyütülecektir. Bu üretim parametreleri, üçlü yapının ikili bileşenleri olarak SnSe ve SnTe ince filmlerinin üretimlerinin optimizasyonu ve fiziksel özelliklerinin incelenmesi ile belirlenecektir. Öncelikle, oda sıcaklığında üretimi yapılacak olan SnSexTe(1-x) ince filminin, X-ışınları difraksiyonu (XRD) ile kristal yapı özellikleri ve y...
Citation Formats
A. Bek, İ. M. Öztürk, and F. Idikut, “Femtosaniye kızılötesi lazerle silisyum pul içi gömülü kırınım yapılarının 5 mikrometre altı çözünürlükle doğrudan yazılması,” 2018. Accessed: 00, 2020. [Online]. Available: https://hdl.handle.net/11511/58797.