Hide/Show Apps

X-bant Radar Uygulamaları için GaN Tabanda Alıcı/Verici Tümleşik Devreleri

GaN teknolojisiyle, X-bant radar alıcı/verici devre modüllerinde kullanılabilecek güçyükselteci, düsük gürültülü yükselteç, tek kutup çift atım RF anahtar ve vektör modülatörgelistirilmistir. Tasarlanan devreler 0.25 ?m Power GaN/SiC HEMT üretim süreci ile WINSemiconductor firmasında üretilmistir. Güç yükseltecinde 25W üzeri güç çıkısı, düsükgürültülü yükselteçte 20dB'den fazla kazanç, 2dBnin altında gürültü figürü elde edilmistir.Anahtarın araya girme kaybı 0.8 dB, izolasyonu 50 dB'dir. Ölçüm sonuçları, gelistirilmis tümtümlesik devrelerin proje hedeflerine ulastıgını dogrulamıstır. Gelistirilen bu birimler bundansonraki asamada tektas üstünde birlestirilerek küçük, performansı yüksek, kayıpları azalıcı/verici tümlesik devresi elde edilebilir. Bu tür devreler 5G haberlesme sistemleri, MIMOantenler, radar gibi uygulamalarda kullanılabilir.Proje kapsamında EuMIC gibi alanında önemli konferanslarda 3 bildiri sunulmustur. URSITürkiye 2018 Ulusal konferansında proje çalısmaları anlatılmıstır.Proje sonucunda GaN teknolojisi ile mikrodalga bilesenleri tasarlanması, ölçülmesi vekarakterizasyonu konusunda kapsamlı bir bilgi ve teknoloji birikimi olusmustur. Bu konudauzmanlasmıs üç ögrenci yetistirilmistir. Proje kapsamında desteklenen 2 bursiyerin yükseklisans tez çalısmaları projede gelistirilen düsük gürültülü yükselteç ve anahtar üzerinedir. GaNteknolojisi ile gelistirilen düsük gürültülü yükselteç üzerine yapılan tez tamamlanmıs ve tezbasılmıstır. Diger tez de iki ay içerisinde jüri önünde savunulacaktır.