GaS(x)Se(1-x) yarıiletken kristallerinin yapısal ve optiksel özelliklerinin incelenmesi

Date

2016-12-31

Author

Hasanlı, Nızamı
Bulur, Enver
Kökten, Hatice

Metadata

Show full item record

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Item Usage Stats

207
views

0
downloads

III-VI grubu katmanlı bileşiklerinden GaSe ve GaS, özellikle gelecek vaad eden optoelektronik malzemelerin başında gelmektedir. Kristal yapıdaki bu yarıiletken malzemeler yüksek optiksel lineer olmayan özelliklere sahip olduğu için optiksel anahtarlama aletlerinin ve fotodetektörlerin üretiminde gelecek vaad etmektedirler. Ayrıca kırmızı ve mavi görünür bölgede kullanılan optoelektronik malzemelerin üretiminde de potansiyel özelliklere sahip oldukları bu malzemeler üzerine çalışan insanlar tarafından gösterilmiştir. Önerilen bu proje ile Bridgman metodu ile ürettiğimiz GaSxSe1-x yarıiletken örneklerden farklı x değerlerine denk gelen karışım kristallerinin yapısal ve optiksel özelliklerini incelemeyi planlıyoruz. X-ışınımı kırınımı ölçümleri sonucunda örneklerin yapısal parametreleri, enerji saçıcı x-ışını analizi ölçümleri sonucunda da örneğin kimyasal karakterizasyonu hakkında bilgi elde edilecektir. Optiksel karakterizasyonu ise absorpsiyon ve elipsometre deneyleri ile gerçekleştirmeyi planlıyoruz. Analizler sonucunda kristallerin bant boşluk enerjisi, kırıcılık indisi, bantlar arası geçiş enerjileri, reel ve sanal dielektrik katsayılarının elde edilmesi planlanmaktadır. Ayrıca bu optiksel ve yapısal parametrelerin karışım oranı (x) ile nasıl değiştiğini inceleyeceğiz. Bu incele bize herhangi bir optiksel ve yapısal parametreyi elde etmek için hangi x değerine göre üretim gerçekleştirilmesi gerektiği hakkında bilgi verecektir.

Subject Keywords

Fizik, Optik Özellikler, Spektroskopi, Maddenin Parçacıklarla Etkileşmesi

URI

https://hdl.handle.net/11511/58782

Collections

Department of Physics, Project and Design

Suggestions

OpenMETU
Core

Sol-jel yöntemi ile üretilecek ZnO nanokristal ve ince filmlerin yapısal, optiksel ve termolüminesans özelliklerinin incelenmesi Hasanlı, Nızamı; Bulur, Enver; Kökten, Hatice(2015-12-31) ZnO, sahip olmuş olduğu optiksel ve elektriksel özellikleri sayesinde teknolojik uygulamalarda önemli kullanım alanları bulunan II-VI grubu bileşiklerin en önemlilerinden bir tanesidir. ZnO, 3.37 eV direkt ve geniş bant aralığına, oda sıcaklığında 60 meV gibi büyük eksiton bağlanma enerjisine sahip, hekzagonal yapıda bir yarıiletken malzemedir. Morötesi ve görünür bölgede ışık yayan lazerler, yüzey akustiği dalga aletleri, gaz sensörleri, ışık yayan diyotlar, güneş pilleri ve birçok optoelektronik aletler Z...
Y2O3 nanoparçacıkların termolüminesans özelliklerinin incelenmesi Hasanlı, Nızamı; Bulur, Enver; Kökten, Hatice(2018-12-31) Nadir toprak oksitleri arasında itriyum oksit (Y2O3), iyi kimyasal, geniş bant enerjisi, fotokimyasal kararlılık, iyi termal iletkenlik, düşük fonon enerjisi gibi özellikleri göz önünde bulundurularak optiksel çalışmalar için gelecek vadeden bir malzeme olarak tanımlanmaktadır. Hem katkısız hem de nadir toprak elementleri ile katkılı Y2O3 malzemesinin lüminesant malzeme olarak kullanılabilirliği bu malzemelerin bant yapısı içerisindeki tuzak merkezlerinin araştırılmasına ve bu merkezlerin aktivasyon enerjis...
TlInS2 ve TlGaSe2 yarıiletken kristallerinde düşük sıcaklıklarda termolüminesans ölçümleri Hasanlı, Nızamı; Bulur, Enver(2013-12-31) Bu proje aracılığı ile düşük sıcaklıklarda TlInS2 ve TlGaSe2 yarıiletken kristalleri üzerinde termolüminesans ölçümleri yapmayı planlıyoruz. Elde edilecek deneyler farklı metodlar kullanılarak analiz edilecek ve kristal içerisindeki kusurlardan veya safsızlıklardan dolayı oluşan tuzak merkezlerinin özellikleri bulunacaktır. Analizler sonucunda tuzak merkezlerinin aktivasyon enerjileri, yakalama kesit alanları, konsantrasyonları ve bant boşluğundaki dağılımları hakkında detaylı bilgiler elde edilecektir. Ayr...
Fotovoltaik malzemelerin fotolüminesans haritasının çıkarılması Yerci, Selçuk; Türkay, Deniz; Soltanpoor, Wiria; Koç, Mehmet; Özcan, Can; Ghasemikashtiban, Milad(2018-12-31) Fotolüminesans yönteminde numuneler ışık ile uyarılır ve numuneden tekrar ışık toplanır. Numuneden gelen ışık numunenin optik karakteri (bant aralığı ve kusur çeşidi ve yoğunluğu) hakkında bilgi verir. Standart fotolüminesans deneyinde, uyarım için kullanılan ışığın enerjisinin ilgilenilen optik geçişin enerjisinden daha büyük olması gerekmektedir.Güneş hücrelerinin fotolüminesans ölçümleri sayesinde elektron ve deliklerin yaşam süreleri belirlenebilir. Fotolüminesans şiddetinin fazla olması elektron ve del...
Boşluk üzerinde germanyum yapısının metal yardımlı aşındırma ve tavlama ile üretilmesi Yerci, Selçuk; İmer, Muhsine Bilge(2018-12-31) Önerilen disiplinler arası bilimsel araştırma projesinin amacı yeni bir ince-film germanyum üretim yöntemi vasıtasıyla farklı fotonik aygıtların iyileştirilmesini sağlamaktır. Proje çerçevesinde ODTÜ Güneş Enerjisi Araştırma ve Uygulama Merkezinde metal yardımlı kimyasal aşındırma ve termal buharlaştırma ile birlikte metal yardımlı aşındırma yöntemleri ile üretilen gözenekli germanyum ODTÜ Metalurji ve Malzame Mühendisliği’nde tavlanacak ve üst kısımda oluşan gözeneksiz germanyum alt kısımda oluşan geniş bo...

Citation Formats

N. Hasanlı, E. Bulur, and H. Kökten, “GaS(x)Se(1-x) yarıiletken kristallerinin yapısal ve optiksel özelliklerinin incelenmesi,” 2016. Accessed: 00, 2020. [Online]. Available: https://hdl.handle.net/11511/58782.